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    AT45DB161D-TU

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    16兆位2.5伏或2.7伏的DataFlash。

     

    产品信息

      描述:

      该AT45DB161D是2.5伏或2.7伏,串行接口顺序访问闪存内存非常适合用于各种数字支持语音,图像 - ,程序代码和对数据存储应用。该AT45DB161D支持急流串行接口应用要求非常高的速度操作。急流串行接口SPI的COM兼容的频率高达66 MHz的。其17301504位存储器被组织成4096页的512字节或每528个字节。除了主存储器,所述AT45DB161D还包含每个五百二十八分之五百十二字节的两个SRAM缓冲器。缓冲区允许数据的接收,而在主存储器中的页面进行重新编程,以及写入一个连续的数据流。 EEPROM仿真(位或字节alterabil-性)是很容易用一个自包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作进行处理。不同于与多个随机访问的传统闪存。

      特点:

      1、单2.5V - 3.6V或2.7V - 3.6V电源

      2、急流串行接口: 66 MHz最大时钟频率

      - 兼容SPI模式0和3

      3、用户可配置的页面大小

      - 每页512字节

      - 每页528字节

      - 页面大小可在工厂预先配置为512字节

      4、页编程操作

      - 智能编程操作

      - 4096页( 528分之512字节/页)主内存

      5、灵活的擦除选项

      - 页擦除( 512字节)

      - 块擦除( 4字节)

      - 扇区擦除( 128字节)

      - 芯片擦除( 16兆位)

      6、两个SRAM数据缓冲区(五百二十八分之五百十二字节)

      - 允许数据的接收,同时重新编程的闪存阵列

      7、通过整个阵列连续读取功能

      - 理想的代码映射应用程序

      8、低功耗

      - 7毫安有效的读电流典型

      - 25 μA待机电流典型

      - 15 μA深层关机典型

      9、硬件和软件数据保护功能

      - 个别部门

      10、部门锁定的安全代码和数据存储

      - 个别部门

      11、安全性: 128字节安全寄存器

      - 64字节的用户可编程空间

      - 唯一的64字节的设备标识符

      12、JEDEC标准制造商和设备ID读

      13、100000编程/擦除周期每页最低

      14、数据保留 - 20岁

      15、工业温度范围

      16、绿色(无铅/无卤化物/ RoHS标准)的包装选项


    电路图、引脚图和封装图

    技术资料

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    2_45GHzRFID中OQPSK_DBPSK调制解调系统的实现PDF440 点击下载
    DrClient(Console)RAR444 点击下载

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