制造商:TI
TPD2E001-NM 封装图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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TPD2E001DRST-NM | TI | TVS DIODE 5.5VWM 100VC 6SON | 立即购买 |
标题 | 类型 | 大小(KB) | 下载 |
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新一代ESD保护器件不再需要VCC连接 | 611 | 点击下载 | |
ESD Layout Guide | 638 | 点击下载 | |
Reading and Understanding an ESD Protection Datasheet | 2048 | 点击下载 |
...A100 80GB加速卡。虽然AMD把性能夺回去了,但是A100 80GB的HBM2e显存也是史无前例了。 NVIDIA今年3月份发布了安培架构的A100加速卡(名字中没有Tesla了),升级了7nm工艺和Ampere安培架构,集成542亿晶体管,826mm2核心面积,使用了40GB HBM...
今晚AMD刚刚发布了7nm CDNA架构的MI100加速卡,NVIDIA这边就推出了A100 80GB加速卡。虽然AMD把性能夺回去了,但是A100 80GB的HBM2e显存也是史无前例了。
在说Arctic Sound显卡之前,我们先缕缕Intel已经曝光的GPU,它们都会使用全新的Xe架构,但型号、定位不同。
...合XFP MSA标准 符合IEEE 802.3ae标准 符合OTN OTU2e 符合10G光纤通道 符合SONET OC-192和SDH STM-64 单通道全双工收发器模块 支持10Gb / s数据速率 双LC插座 内置数字诊断功能 单3.3V...
三星近日发布了代号为“Flashbolt”的HBM2E存储芯片,HBM2E单颗最大容量为16GB,由8颗16Gb的DRAM颗粒堆迭而成,单个封装可实现16GB容量。
0.7pF,三路单向,保护Vbus,用于USB2.0保护。可替代TI型号TPD2E001DRLR。2.ULC0542T,小体积封装DFN1610-6,工作电压5V,VES
业界对IBM制造出2nm芯片表现出极大兴趣,很大程度在于2nm芯片意味着芯片性能的极大提升。
4525-DS5A001DP差压传感器测量空速通常涉及复杂的仪器和校准过程。一般来说,4525-DS5A001DP差压传感器用于测量两个点之间的压力差,这种压力差与空速之间存在某种关系。
TP2435 | TMMBAT42 | TN2124 | TC1044S |
TPS40425 | TPS51100 | TMS320C5505 | TS3A44159-DIE |
TPS92638-Q1 | tda2030 | TCP-5047UB | TLV1562 |
TPS82740A | TC6320 | THS1206 | TPS92661-Q1 |
TLC1518 | TN2504 | TLC1541 | THS12082 |