TP2104

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MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, -40V, 6.0 Ohm

中文数据手册

产品信息

This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

High input impedance and high gain

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Low CISS and fast switching speeds

Excellent thermal stability

Integral source-drain diode

Free from secondary breakdown

电路图、引脚图和封装图

TP2104 封装图
TP2104 封装图

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型号	制造商	描述	购买
TP2104N3-G-P003	Microchip	MOSFETP-CH40V0.175ATO92-3	立即购买
TP2104K1-G	Microchip	MOSFET P-CH 40V 0.16A SOT23-3	立即购买
TP2104N3-G	Microchip	MOSFET P-CH 40V 0.175A TO92-3	立即购买

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