This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Low threshold - 1.6V max.
High input impedance
Low input capacitance - 110pF typical
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage
TN0620 封装图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
TN0620N3-G-P014 | 3M(TC) | 立即购买 | |
TN0620N3-G-P002 | Vishay | 贴片电阻 0805 417Ω ±0.1% 5/8W ±50ppm/℃ | 立即购买 |
TN0620N3-G | KOA | 贴片电阻 0603 31.6Ω ±0.5% 1/10W ±50ppm/℃ | 立即购买 |
计讯物联北斗GNSS接收机TN521,微米级高精度位移形变监测,支持GPSL1/L2,BDB1/B2,支持北斗三代多频段,支持串口裂缝、压力、应力、倾角、加速度、舞动传感器有线接入,支持数据采集
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旗捷推出适用于兄弟激光TN229/TN2510系列通用耗材芯片。该产品由旗捷自主研发,支持容量定制,采用多序列号方案支持序列号切换。
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图中,TN-C系统为工作零线N与保护零线PE合为PEN线的三相四线系统;TN-S系性线N不能与其他未经漏电保护器的设备或线路的中性线N共用,也不允许与保护零线PE、设备金属外壳、导线钢管以及其他与大地有联系的金属部件相连。也...
TN-C-S方式供电系统在建筑施工临时供电中,如果前部分是TN-C方式供电,而施工规范规定施工现场必须采用TN-S方式供电系统,则可以在系统后部分现场总配电箱分出PE线。
计讯物联北斗GNSS接收机TN521,微米级高精度位移形变监测,支持GPSL1/L2,BDB1/B2,支持北斗三代多频段,支持串口裂缝、压力、应力、倾角、加速度、舞动传感器有线接入,支持数据采集
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TC72 | THS4541 | TC1270AN | TL494 |
TLV1570 | TPS7A4001-DIE | TPSM84A22 | THS1207 |
TC53 | TMP468 | TAS2555 | TPS24740 |
TC646 | TDC7201 | TMS320C5534 | THS1209 |
TLV2544Q | TPS50601-SP | tda2030a | TC1411N |