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Dual center tap Schottky rectifiers suited for high frequency switch mode power supply.
Packaged in TO-247, this devices is intended for use to enhance the reliability of the application.
适用于高频开关电源的双中心抽头肖特基整流器。
封装TO-247，这个装置是用以提高应用程序的可靠性。
HIGH JUNCTION TEMPERATURE CAPABILITY
LOW LEAKAGE CURRENT
GOOD TRADE OFF BETWEEN LEAKAGE CURRENT AND FORWARD VOLTAGE DROP
LOW THERMAL RESISTANCE
HIGH FREQUENCY OPERATION
主要特点
高结温性能
低漏电流
漏电流和正向压降之间的良好折衷
低热阻
高频运行
STPS61150C电路图
STPS61150C 引脚图
STPS61150C 封装图
N沟MOS管作为一种非常常见的MOS管，它是由P型衬底和两个高浓度N扩散区构成的MOS管叫作N沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度N扩散区间形成N型导电沟道。
英特尔宣布与Silicon Mobility SAS达成收购协议，以打造先进的电动汽车能源管理技术，并推出全新的AI增强型软件定义汽车SoC。
C语言于1972年11月问世，1978年美国电话电报公司（AT&T）贝尔实验室正式发布C语言，1983年由美国国家标准局（American National Standards
上篇文章给大家介绍了APB协议相关的知识点，本篇文章通过一个实际的APB slave的设计帮助大家巩固对APB的掌握。 APB slave设计Spec 其框图如上图所示，这里提一嘴，大家在做数字IC设计的时候，都应该像这样规划好各个模块的连接关系，确定好以后再写代码。该模块是一个 基于APB协议完成寄存器配置或读取的设计实例 。设计相对比较简单，但不失为一个很好的学习资料。 上面APB相关的信号都介绍过，这里不再重复介绍，其中的ECOREVNUM的意思是ECO revisi
有朋友问，星三角降压启动中的电机，星形连接和角形连接时转速相同吗？
英特尔发布两款全新芯片——Sierra Forrest 和 Granite Rapids-D，还宣布一个全新边缘平台全面上市。这些产品旨在满足运营商和企业在可持续发展和AI方面的需求。 英特尔一亮相MWC，就立即打出了一套软硬件组合拳，旨在满足5G和边缘部署对可持续发展和AI的需求。 硬件领域更新 我们从硬件看起，这里有两个值得关注的重要消息。首先，英特尔发布了用于5G核心网的至强处理器 Sierra Forest，该处理器将于2024年面世，与上一代芯片相比，单机架性能提高2.7倍。
随着5G网络的成熟，技术的不断演进，应用的层出不穷，几乎所有应用领域都离不开位置信息服务，尤其是移动终端对定位精度要求更高
陶瓷电容是一种高性能的电子元件，温度系数大范围广，比容量大，耐潮湿性好，介质损耗较小，广泛应用于电子电路中。
| STTH12T06 | STPS340 | STTH60P03S | STPS1170 |
| STTH15L06 | STTH30R04-Y | STPS30SM120S | SP3232EEN-L/TR |
| STTH12R06 | SST26VF064B | SST26VF032 | STPS160H100 |
| SST12LN01 | SST25WF020A | STPS1L30M | ST13003 |
| SM73201 | STLC2690 | SSM2167 | STTH15AC06 |
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