SST25VF512 SPI serial flash memory is manufactured with SST's proprietary, high-performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick-oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate approaches.
Serial Interface Architecture– SPI Compatible: Mode 0 and Mode 3
Low Power Consumption:– Active Read Current: 7 mA (typical)– Standby Current: 8 µA (typical)
Flexible Erase Capability– Uniform 4 KByte sectors– Uniform 32 KByte overlay blocks
Fast Erase and Byte-Program:– Chip-Erase Time: 70 ms (typical)– Sector- or Block-Erase Time: 18 ms (typical)– Byte-Program Time: 14 µs (typical)
Auto Address Increment (AAI) Programming– Decrease total chip programming time overByte-Program operations
Packages Available– 8-lead SOIC (4.9mm x 6mm)– 8-contact WSON
All non-Pb (lead-free) devices are RoHS compliant
SST25VF512 封装图
SST25VF512 封装图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SST25VF512-20-4C-SAE-T | Maxim | IC RTC CLK/CALENDAR PAR 28-SOIC | 立即购买 |
SST25VF512-20-4C-SAE | Broadcom | ENCODER MODULE 3CH 1000CPR 1/2" | 立即购买 |
前言 近年来,闪速存储器已应用在数以千计的产品中,特别是移动通信、MP3音乐播放器、手持PC管理器、数码相机、网络路由器、舱内录音机等工业产品。闪速存储器由于具有非易失性
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公司推出的传感器装配螺纹为M18*1.5mm,外壳为坚固的不锈钢材质,可以承受极端温度(-100℃~+250℃)。基于这些特性,传感器非常适合工业燃煤/燃油/天然气/生物质锅炉中的燃烧控制、烟气排放连续监测系统(CEMS)及加速堆肥...
本文介绍了TMS320C6713浮点DSP芯片和SST公司提供的SST39VF400A FLASH存储器的基本特点,给出了使用该FLASH存储器设计和实现完整的TMS320C6713 DSP引导装载系统的具体方法。
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中框和后盖部分,荣耀 20i 都采用了亮面的复合塑料材质,不过表面工艺做得比较到位,视觉和手感上都不会有廉价感。 特别是后盖部分,官方表示包含了 8 层工艺技术(油墨丝印层、渐变着色层、光栅纹理转印层、电镀层、...
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摘要:目前的嵌入式系统多使用FLASH作为主存,因此,如何有效管理FLASH上的数据非常重要。文章以SST39VF160芯片为例,讨论了在Nor Flash上建立uClinux的JFFS2文件系统的
SSM2135 | STK681-360-E | SSM2212 | STTH8R04 |
SM320F28335-HT | SST11LP12 | S8050 | STPS1L40-Y |
STPS20L25C | SMA3101 | STK672-630AN-E | STW81101 |
STPS4S200 | STM32F103RBT6 | STPS15L45C-Y | SST49LF160C |
STTH802 | STPS3L40-Y | STPS40120C | STTH16R04C |