PBSS4160T

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60 V ，1 A的NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管。

中文数据手册

　　描述

　　NPN低VCESAT晶体管在SOT23塑料包装。PNP补充： PBSS5160T 。

　　特点

　　•低集电极 - 发射极饱和电压V

　　•高集电极电流能力我

　　•高英法fi效率，降低了发热

　　•减少所需的印刷电路板的面积

　　•成本效益的替代中等功率晶体管BCP55和BCX55 。

一种可以编码局部信息的结构T2T module，并证明了T2T的有效性
证明了通过精心设计的Transformer-based的网络(T2T module and efficient backbone)，是可以打败CNN-based的模型的，而且不需要在巨型的训练集(如JFT-300M)上预训练。
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