制造商:ON
NLSX3018电路图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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NLSX3018DWR2G | ON | IC XLATOR 8BIT DUAL 20SOIC | 立即购买 |
NLSX3018DTR2G | ON | IC XLATOR 8BIT DUAL 20TSSOP | 立即购买 |
NLSX3018MUTAG | ON | XLATOR DUAL 8BIT CONFIG 20UDFN | 立即购买 |
标题 | 类型 | 大小(KB) | 下载 |
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8-Bit 100 Mb/s Configurable Dual-Supply Level Translator | 144 | 点击下载 | |
TSSOP-20 WB | 38 | 点击下载 | |
SOIC-20 WB | 35 | 点击下载 | |
NLSX3018_PD.JPG | UNKNOW | 191 | 点击下载 |
UDFN20 4x2, 0.4P | 32 | 点击下载 |
负电压发生器,顾名思义,是一种能够产生负电压的电子设备。在电子电路中,电压的极性对于电路的功能和性能具有重要影响。虽然大多数电子设备主要使用正电压,但在某些特定应用中,如运算放大器供电、IGBT或MOSFET的门极驱动、以及通讯接口等,负电压的存在是不可或缺的。负电压发生器通过特定的电路设计和元件选择,实现了将正电压转换为负电压的功能。
在一个典型的工业自动化环境中,可能存在多种不同品牌和型号的设备,这些设备往往采用不同的通信协议进行数据传输。例如,某些品牌的PLC可能采用EtherNet/IP协议,而一些较旧的仪表和传感器则可能使用Modbus协议。这种协议的不一致性导致了数据传输的障碍,使得不同设备之间的信息无法有效共享,从而影响了整个系统的运行效率和智能化水平。 难点分析 实现EtherNet/IP与Modbus协议之间的转换面临多重挑战: 协议差异:EtherNet/IP和Modbus在数据格式、传
有理论基础,我们就可以进行深度优化了。 为什么 transformer 性能这么好?它给众多大语言模型带来的上下文学习 (In-Context Learning) 能力是从何而来?在人工智能领域里,transformer 已成为深度学习中的主导模型,但人们对于它卓越性能的理论基础却一直研究不足。 最近,来自 Google AI、苏黎世联邦理工学院、Google DeepMind 研究人员的新研究尝试为我们揭开谜底。在新研究中,他们对 transformer 进行了逆向工程,寻找到了一些优化方法。论文《Uncovering mesa-opt
北美运营商AT&T的认证测试内容涵盖了多个方面,以确保设备和服务的质量、兼容性以及用户体验。以下是英利检测整合的AT&T认证的主要测试内容:基础认证测试联邦通信委员会(FCC)和PTCRB认证测试:这些测试确保设备符合美国的通信法规和标准,以及PTCRB(PCSTypeCertificationReviewBoard)的认证要求。CTIAOTA和电池认证:C
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)受存储市场大环境需求不振、高库存的影响,近期国内外存储产业链企业的营收和净利表现普遍处于下滑态势。随着2022年年报和2023年第一季度财报的陆续发布,电子发烧友网梳理了10家A股存储上市企业的信息,看看存储企业和行业的现状和发展情况。 在统计的10家存储上市企业中,基于2022年财报信息,可以看到仅聚辰股份、复旦微的净利润同比成正增长,分别是226.81%和109.31%。其他企业均为同比下滑。 多因素致下
一、电介质的损耗 介质损耗是指绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。介质损耗也叫介质损失,简称介损。表征某种绝缘材料的介质损耗,一般不用W或J等单位来表示,而是用电介质中流过电流的有功分量和无功分量的比值来表示,即tanδ。tanδ与绝缘材料的性质有关,而与其结构、形状、几何尺寸等无关。介质损耗的功率P与外加电压的平方和电源频率成正比。介质损耗有电导损耗、游离损耗、极化损
近日,霞智科技Titan810商用清洁机器人荣获TÜV南德欧盟CE-MD认证证书。TÜV南德大中华区消费品服务部高级副总裁陈灏漩、TÜV南德大中华区电子电器研发部高级经理唐杰、霞智科技产品总经理赖禹诚先生、霞智科技CTO李仁君博士、市场部总监范晶晶先生等双方代表共同出席颁奖仪式。这一权威认证标志着霞智科技的Titan810商用清洁机器人在电气生产、机械安全以
全球被动元件领导厂商-国巨集团,推出新款薄膜车用晶片电阻-VT系列。 VT系列具备耐高压、抗湿、抗硫、高精密度、高稳定性的特性;外壳尺寸1206,电阻范围为162KΩ-1.5MΩ,具有±0.1%、±0.25%、±0.5%及±1%的窄容差和±10, ±25, ±50 ppm /°C的低温度特性(TCR),额定功率值为1/4W。 由于VT系列采用精密的镭射切割技术,相较于市场上的薄膜电阻,具备更好的耐高压能力,在承受高压的同时维持电阻良好的稳定性。 VT系列的钝化层设计,将中间介质形成不透湿的介面
NUF4001MU | NB3N3020 | NCL30161 | NCV8445 |
NVMFS5A140PLZ | NCP51400 | NCS20071 | NUD3105 |
NCP51705 | NCP1250 | NC7S00 | NIS5132 |
NCP81258H | NSR05T30P2 | NC7ST04 | NB3N1900K |
NCV8401B | NCV7356 | NSVR351SDSA3 | NCP1360 |