NCP51705

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SiC MOSFET Driver, Low-Side, Single 6 A High-Speed

制造商：ON

中文数据手册

产品信息

The NCP51705 driver is designed to primarily drive SiC MOSFET transistors. To achieve the lowest possible conduction losses, the driver is capable to deliver the maximum allowable gate voltage to the SiC MOSFET device. By providing high peak current during turn−on and turn−off, switching losses are also minimized. For improved reliability, dV/dt immunity and even faster turn−off, the NCP51705 can utilize its on−board charge pump to generate a user selectable negative voltage rail.For isolated applications, the NCP51705 also provides an externally accessible 5 V rail to power the secondary side of digital or high speed opto isolators.

High Peak Output Current with Split Output Stages
Extended Positive Voltage Rating up to 28 V Max
User−adjustable Built−in Negative Charge Pump (-3.3 V to -8 V)
Accessible 5 V Reference / Bias Rail
Adjustable Under−Voltage Lockout
Fast Desaturation Function
QFN24 Package 4 x 4 mm

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型号	制造商	描述	购买
NCP51705MNTXG	-	-	立即购买

技术资料

标题	类型	大小（KB）	下载
WQFN24, 4x4, 0.5P	PDF	58	点击下载
SiC MOSFETs: Gate Drive Optimization	PDF	2048	点击下载
Single 6 A High-Speed, Low-Side SiC MOSFET Driver	PDF	339	点击下载

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