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制造商：ADI/AD
优势和特点
高P1dB输出功率： +31 dBm
高Psat输出功率： +33 dBm
高增益： 12 dB
High Output IP 3: +41 dBm
50 Ω匹配输入/输出
裸片尺寸： 2.99 x 1.84 x 0.1 mm
产品详情
HMC998A是一款GaAs MMIC pHEMT分布式功率放大器裸片，工作频率范围为DC至22 GHz。 本放大器提供12 dB增益，+41 dBm输出IP 3和+31 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为500 mA（采用+15V电源）。 该多功能PA在1至18 GHz范围内具有正增益斜率，因而非常适合EW、ECM、雷达和测试设备应用。 HMC998A放大器I/O内部匹配至50 Ω，方便集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mils)的两条0.025mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。
应用
测试仪器仪表
微波无线电和VSAT
军事和航天
电信基础设施
光纤产品
HMC998A-DIE电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HMC998A | - | - | 立即购买 |
2D芯片设计中通常为二阶或三阶的效应，在Multi-Die系统中升级为主要效应。
HMC742ALP5E是一款数字控制可变增益放大器，工作频率范围为70 MHz至4 GHz，可通过编程提供-19.5 dB衰减至12 dB增益，步进为0.5 dB。 HMC742A在最大增益状态下的噪声系数为4 dB，任意状态下的输出IP3最高为+39 dBm。
今年似乎每个人都在讨论Multi-Die（集成多个异构小芯片）系统。随着计算需求激增和摩尔定律放缓，这种将多个异构晶粒或小芯片集成到同一封装系统中的方式，能够为实现苛刻PPA、控制成本以及满足上市
HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF开关，采用砷化镓(GaAs)工艺制造。
本文介绍了 die-to-die 连接的几种不同用例，以及在寻找用于 die-to-die 连接的高速 PHY IP 也可以使用基于有机基材的传统低成本封装。
HMC544A和HMC544AE是6引脚SOT26封装中的低成本SPDT交换机，用于在中等功率水平下需要非常低插入损耗的发射-接收应用。
HMC773A是一款通用型双平衡混频器芯片，可用作6 GHz至26 GHz频率范围的上变频器或下变频器。
HMC906ACHIPS 是一款四级 GaAs pHEMT MMIC 2 瓦功率放大器，工作频段介于 27.3 和 33.5 GHz 之间。HMC906A 采用 +6V 电源，可以提供 28 dB 的增益以及 +33.5 dBm 的饱和输出功率和 20% PAE。
| HMC659LC5 | HMC342LC4 | HMC7229-DIE | HMC920 |
| HV7331 | HMC-ALH382 | HMC729 | HMC7891 |
| HMC-ALH509 | HMC372 | HMC443 | HMC590LP5 |
| HMC-APH462 | HMC504 | HMC847 | HV9921 |
| HV9931 | HMC342LC4 | HMC760 | HCPL0500 |
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