制造商:ADI/AD
优势和特点
宽带宽:5 - 26.5 GHz
出色的线性度:+28 dBm输入P1dB
宽衰减范围:28 dB
吸收式拓扑结构
单或双控制操作
16引脚3x3mm SMT封装:9mm²
产品详情
HMC712ALP3CE是一款吸收式电压可变衰减器(VVA),工作频率范围为5 - 26.5 GHz,非常适合必须利用模拟DC控制信号来控制超过28 dB幅度范围的RF信号电平。它集成了由两个模拟电压Vctrl1和Vctrl2控制的分流型衰减器。衰减器要达到最佳线性度性能,首先第一衰减级的Vctrl1在-5V至0 V范围内变化,Vctrl2固定为-5V。然后第二衰减级的控制电压Vctrl2应在-3V至0V范围内变化,Vctrl1固定为0V。HMC712ALP3CE采用符合RoHS标准的3x3 mm QFN无引脚封装。
然而,如果Vctrl1和Vctrl2引脚连接在一起,仅需稍微降低输入IP3性能便可实现全模拟衰减范围。具体应用包括微波、点对点和VSAT无线电中的AGC电路和多增益级温度补偿。
应用
点对点无线电
VSAT无线电
测试仪器仪表
微波传感器
军事、ECM和雷达
HMC712A电路图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
HMC712ALP3CETR | - | - | 立即购买 |
HMC712ALP3CE | - | - | 立即购买 |
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骁龙712处理器定位于中高端芯片,和骁龙710处理器都是10nm制程工艺,两者之间有什么不同呢?作为全球首款搭载骁龙712处理器的小米9SE表现怎么样,我们一起来看看。
目前,搭载骁龙712的小米9 SE已上市,心动的朋友可以立即预约哦 !抢不抢得到就是另外一回事了哦。
骁龙712和骁龙710一样,均采用10nm FinFET工艺,CPU方面集成八核Kryo 360及Adreno 616 GPU。骁龙712主频2.3GHz,要高于骁龙710的2.2GHz,在性能方面,也要比骁龙710提升10%。
高通骁龙712移动平台正式发布
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YL712X应用方案的外围元件极少,仅以8个外围元件便可实现高效率、高精度恒流驱动。
HV254 | HMC-C043 | HMC530 | HMC7056 |
HMC1058 | HMC7545 | HMC494 | HV2801 |
HMC441LM1 | HMC272A | HMC346ALC3B | HMC386 |
HMC8113 | HMC976 | HMC870 | HMC472A |
HMC-C028 | HMC746 | HMC-APH518 | HCPL2611M |