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制造商：ADI/AD
优势和特点
转换增益： 10 dB
镜像抑制： 17 dB
2 LO至RF隔离： 35 dB
噪声系数： 3 dB
输入IP3： +3 dBm
裸片尺寸： 2.33 x 2.73 x 0.10mm
产品详情
HMC570是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器，在整个频段范围内提供10 dB的小信号转换增益、3 dB的噪声系数和17 dB的镜像抑制性能。 该设备采用LNA，后接由有源2倍频器驱动的镜像抑制混频器。 该镜像抑制混频器使得LNA之后无需使用滤波器，并可消除镜像频率下的热噪声。
它具有I和Q混频器输出，所需外部90?混合型器件用于选择所需边带。 以下所示的所有数据均通过安装在50 Ohm测试夹具中的芯片获取，且包括每个端口上直径为1 mil、长度为20 mil的焊线效应。 该产品为混合型镜像抑制混频器下变频器组件的小型替代器件。
应用
点对点
点对多点无线电
军用雷达、EW和ELINT
卫星通信
HMC570-DIE电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HMC570 | - | - | 立即购买 |
| HMC570-SX | - | - | 立即购买 |
今年似乎每个人都在讨论Multi-Die（集成多个异构小芯片）系统。随着计算需求激增和摩尔定律放缓，这种将多个异构晶粒或小芯片集成到同一封装系统中的方式，能够为实现苛刻PPA、控制成本以及满足上市
HMC490是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器，工作频率范围为12至17 GHz。采用+5V电源时，HMC490提供27 dB增益、2 dB噪声系数和35 dBm输出IP3
随着移动通信技术的发展，系统越趋复杂，同时产品集成度要求也越来越高，系统级封装（SiP）成为了最具潜力的候选方案之一，其将不同制程工艺节点的裸芯片Die集成在一个封装里，在满足器件高性能需求的同时，也减少了芯片设计公司的研发成本和时间。
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如今，从数据中心到边缘层，再到万物智能网络的深处，先进的Multi-Die系统实现了前所未有的性能水平。Multi-Die系统不是通用的单体架构芯片，而是由一系列异构芯片（也称“小芯片”）组成，其中
SK海力士近日悄然在其产品目录中增加了16Gb(2GB)容量的单Die DDR4内存颗粒，不仅可以使用更少的芯片打造大容量内存条，还为单条256GB内存条铺平了道路。
近日某院校送修斯坦福电流放大器SR570，客户反馈电流放大器过载报警，对仪器进行初步检测，确定与客户描述故障一致。本期将为大家分享本维修案例。 下面就是斯坦福-SR570维修情况 斯坦福
第一款即将于今年秋天推出的VR体验是基于《无敌破坏王2：大闹互联网》改编而成，被命名为“Ralph Breaks VR”。而第二款体验则是根据一部即将在2019年上映的尚未公开的漫威电影改编，目前还未公布确切信息。漫威将于2019年推...
| HCPL062N | HMC-C028 | HMC948 | HMC830 |
| HMC6147A | HMC774A-Die | HMC-T2270 | HMC561LP3 |
| HMC6980 | HMC1069 | HMC853 | HMC-C058 |
| HCPL2531 | HMC586 | HMC7885 | HMC658LP2 |
| HMC329ALC3B | HMC-C043 | H11G1M | HMC602 |
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