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    FGH12040WD_F155

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     1200 V, 40 A 场截止沟槽 IGBT

    制造商:ON

    产品信息

    飞兆半导体的场截止第 2 代
    IGBT 新系列采用的是新颖的电场截止型 IGBT 技术,为低导通和开关损耗的焊接和 PFC 应用提供最优性能。
    • 最大结温: T
    • =175°C
    • 正温度系数,易于并联运行
    • 低饱和电压: V
    • = 2.3 V(典型值) @ I
    • = 40
    • I
    • (1) 部件 100% 检测
    • 短路耐用性> 5 us @ 150°C
    • 高输入阻抗
    • 符合 RoHS 标准

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