FCP190N65S3

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N-Channel SuperFET

制造商：ON

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产品信息

SuperFET
III MOSFET is ON Semiconductor’s brand-newhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizingcharge balance technology for outstanding low on-resistanceand lower gate charge performance. This advanced technologyis tailored to minimize conduction loss, provide superiorswitching performance, and withstand extreme dv/dt rate.Consequently, SuperFET III MOSFET is very suitable forvarious power system for miniaturization and higher efficiency.

700 V @ TJ = 150
C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 33 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 300 pF)
Optimized Capacitance
Internal Gate resistance: 7.0 ohm
Typ. R
= 159 mΩ
100% Avalanche Tested
RoHS Compliant

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FCP190N65S3	-	-	立即购买

技术资料

标题	类型	大小（KB）	下载
TO-220-3LD	PDF	102	点击下载
Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETs	PDF	501	点击下载
Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETs	PDF	319	点击下载
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation	PDF	1588	点击下载
Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant Converter	PDF	1707	点击下载
Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs	PDF	2048	点击下载
MOSFET Basics	PDF	1159	点击下载
Power MOSFET Avalanche Guideline	PDF	557	点击下载

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