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    FGA25S125P

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     1250V,25A,短路阳极 IGBT

    制造商:ON

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    产品信息

    飞兆半导体的短路阳极沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道和短路阳极技术,为软开关应用提供卓越的导通和开关性能。该器件可并行配置,具有极佳的雪崩能力。该器件为感应加热和微波炉而设计。
    • 高速开关
    • 低饱和电压:V
    • =1.8V @ I
    • = 25A
    • 高输入阻抗
    • 符合 RoHS 标准

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    型号制造商描述购买
    FGA25S125P-SN00337-- 立即购买

    技术资料

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    TO-3P-3LD / EIAJ SC-65, ISOLATEDPDF57 点击下载
    1250 V, 25 A Shorted-anode IGBTPDF464 点击下载
    Fairchilds Second-Generation, Field-Stop, Shorted-Anode, Trench IGBTs for Induction Heating ApplicationsPDF743 点击下载

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