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    FDV304P

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     P沟道数字FET

    制造商:ON

    中文数据手册

    产品信息

    此P沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种高密度工艺专为最大限度地降低低栅极驱动条件下的通态电阻而定制。 该器件特别为电池供电应用设计,例如笔记本电脑和手机。 该器件即使在栅极驱动电压低至2.5V时仍具有出色的通态电阻。
    • -25V、-0.46A(连续值)、-1.5A(峰值) RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS = -4.5 V,RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V。
    • 栅极驱动电平要求极低,从而可在3V电路中直接运行。 VGS(th) < 1.5V。
    • 栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型。
    • 紧凑的工业标准SOT-23表面贴装封装。

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    SOT-23PDF32 点击下载
    P-Channel Digital FETPDF270 点击下载
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载
    MOSFET BasicsPDF1159 点击下载

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