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FDMF6821B

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 超小型、高性能、高频DrMOS模块

制造商:ON

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产品信息

XS™ DrMOS系列是飞兆新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案,适用于高电流、高频同步降压DC-DC应用。 FDMF6821B 将驱动器 IC、两个功率 MOSFET 和自举肖特基二极管集成到了一个热增强的、超小型 6x6 毫米封装中。
通过集成方法,可实现完整开关功率级的驱动器、MOSFET动态性能、系统电感和功率MOSFET R
优化。 XS™ DrMOS采用飞兆的高性能PowerTrench® MOSFET技术,显著地降低了开关振铃噪声,从而无需在大部分降压转换器应用中使用缓冲电路。
驱动器IC通过减少死区时间和传播延迟,可进一步提高性能。 热警告功能会发出潜在过温情况的警告。 FDMF6821B 还为提高轻负载效率整合了跳跃模式 (SMOD#)。 FDMF6820B 还提供了 3 态 3.3V PWM 输入,可实现与广泛的 PWM 控制器的兼容性。
  • 高于 93% 的峰值效率
  • 高电流处理能力: 55 A
  • 高性能 PQFN 铜片封装
  • 三态 3.3V PWM 输入驱动器
  • 跳频模式 SMOD#(低侧门关断)输入
  • 为过温情况提供热警告标志
  • 驱动器输出禁用功能(DISB# 引脚)
  • SMOD# 输入和 DISB# 输入各自的内部上拉和下拉
  • 飞兆 PowerTrench® 技术 MOSFET,可提供干净的电压波形并降低振铃噪声
  • 低端 MOSFET 中的飞兆 SyncFET™(集成肖特基二极管)技术
  • 集成式自举肖特基二极管
  • 实现直通保护的自适应栅极驱动时序
  • 欠压锁定(UVLO)
  • 为实现开关频率达到 1MHz 而优化
  • 飞兆绿色封装并符合 RoHS 标准
  • 薄型 SMD 封装。
  • 基于 Intel® 4.0 DrMOS 标准

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PQFN40 6x6, 0.5PPDF96 点击下载
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