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制造商：ON
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FGH40N65UFDTU | - | - | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小（KB） | 下载 |
|---|---|---|---|
| TO-247-3LD | 59 | 点击下载 | |
| 650 V, 40 A Field Stop IGBT | 909 | 点击下载 |
YC40N04BDE是优晶的N沟道MOSFET，该芯片具有小尺寸、低压大电流等特点，广泛应用在DC/DC转换、服务器的板载电源以及同步整流线路中。某工程师在PCR项目TEC控制部分需要用到4个N沟道
及外设设备、电源管理等。骊微电子低压MOSFET主要用于消费电子领域，中高压MOSFET则主要用于工业、通讯、电动车等领域。4n65高压mos管参数型号：SVF4
YC40N04BDE是优晶的N沟道MOSFET，该芯片具有小尺寸、低压大电流等特点，广泛应用在DC/DC转换、服务器的板载电源以及同步整流线路中。某工程师在PCR项目TEC控制部分需要用到4个N沟道
在当今的电子设备设计领域，IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为关键的功率半导体器件，对于提升设备性能和效率起着至关重要的作用。今天，我们就来深入探讨一下onsemi推出的FGH4L75T65MQDC50 IGBT，看看它究竟有哪些独特之处，能为我们的设计带来怎样的优势。
及外设设备、电源管理等。骊微电子低压MOSFET主要用于消费电子领域，中高压MOSFET则主要用于工业、通讯、电动车等领域。4n65高压mos管参数型号：SVF4
在电子工程师的日常设计工作中，选择合适的功率器件至关重要。今天，我们就来深入探讨 onsemi 推出的 FGH4L50T65MQDC50 IGBT，看看它有哪些独特之处能为我们的设计带来便利。
为什么？因为FHA75T65A拥有高可靠性以及反向并行的快恢复二极管特性，Trench Field Stop technology（关断损耗低、出色的Vcesat饱和压降、拖尾电流非常短）并且拥有正温度系数。
YC40N04BDE是优晶的N沟道MOSFET，该芯片具有小尺寸、低压大电流等特点，广泛应用在DC/DC转换、服务器的板载电源以及同步整流线路中。某工程师在PCR项目TEC控制部分需要用到4个N沟道
| FPF2103 | FPF1048 | FSA1157 | FOD060L |
| FAN49101 | FSB50760SFT | FDMF6824C | FDS6910 |
| FAN3121C_F085 | FSA4476 | FDC6325L | FAN5026 |
| FAN6754WAMR | FTL75939 | FDMF2011 | FOD2712A |
| FGH40N65UF_F085 | FSV10150V | FSQ0370RLA | FPF1C2P5BF07A |
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