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FDD86250_F085

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 N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 15 V, 50 A, 22 mΩ

制造商:ON

产品信息

FDD86250_F085
  • Typical RDS(on) = 19.4 mΩ at VGS = 10V, ID = 20 A
  • Typical Qg(tot) = 28 nC at VGS = 10V, ID = 40 A
  • UIS Capability
  • RoHS Compliant
  • Qualified to AEC Q101

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FDD86250-F085-- 立即购买

技术资料

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DPAK3 (TO-252 3 LD)PDF152 点击下载
Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
Practical Considerations of Trench MOSFET Stability when Operating in Linear ModePDF836 点击下载
N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFETPDF958 点击下载

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