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    FDS9431A_F085

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     -20 V、-3.5 A、130 mΩ、SO-8

    制造商:ON

    产品信息

    此P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻并提供卓越开关性能而定制的。
    • -3.5 A、-20 V、R
    • = 0.130 Ω (V
    • = -4.5 V) R
    • ) = 0.180 Ω (V
    • = -2.5 V)
    • 快速开关速度
    • 高密度单元设计可实现极低的D
    • 高功率和高电流处理能力
    • 符合 AEC Q101 标准
    • 符合 RoHS 标准

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    技术资料

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    SOIC8PDF80 点击下载
    P-Channel 2.5V Specified MOSFETPDF331 点击下载
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
    Maximum Power Enhancement Techniques for SO-8 Power MOSFETsPDF354 点击下载
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载

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