FCPF250N65S3R0L

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N-Channel SuperFET® III MOSFET650 V, 12 A, 250 mΩ, TO-220F

制造商：ON

中文数据手册

产品信息

SuperFET
III MOSFET is ON Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SuperFET III MOSFET is very suitable for various power system for miniaturization and higher efficiency.

Optimized Capacitance
700 V @ TJ = 150 °C
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 248 pF)
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 24 nC)
Typ. RDS(on) = 210 mΩ
100% Avalanche Tested
Internal Gate resistance: 1.1ohm
RoHS Compliant

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Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation	PDF	1588	点击下载
Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant Converter	PDF	1707	点击下载
Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs	PDF	2048	点击下载
MOSFET Basics	PDF	1159	点击下载
Power MOSFET Avalanche Guideline	PDF	557	点击下载

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