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制造商：ADI/AD
优势和特点
高增益：200 V/mV(典型值)
单电源或双电源供电
输入电压范围包括地电压
低功耗：每个比较器1.5 mW
低输入偏置电流：100 nA(最大值)
低输入失调电流：10 nA(最大值)
低失调电压：1 mV(最大值)
低输出饱和电压：250 mV (4 mA)
逻辑输出兼容TTL、DTL、ECL、MOS和CMOS
LM139/LM239/LM339比较器的直接替代产品
产品详情
CMP04是一款四路独立的精密比较器，具有以下性能亮点：极低失调电压、低输出饱和电压、高增益以及单电源设计。输入电压范围介于单电源供电的地电压至分离电源供电的V-之间。电源电流仅为2 mA，而且与电源电压无关，因而该器件是要求极低功耗的精密应用的首选比较器。开集TTL输出则赋予逻辑接口极大的灵活性。引言 Cu作为深度亚微米的多电级器件材料，由于其电阻低、电迁移电阻高和电容降低，与铝相比的时间延迟。本文从理论和实验上研究了柠檬酸基铜化学机械平坦化后二氧化硅颗粒对铜膜的粘附力以及添加剂对颗粒粘附和去除的...
本文介绍了半导体研磨方法中的化学机械研磨抛光CMP技术。
意法半导体（ST）宣布将透过硅中介服务商CMP为研发组织提供意法半导体的THELMA微机电系统（MEMS）制程，大专院校、研究实验室及设计公司可透过该制程设计芯片原型。
中国半导体CMP市场发展空间大 中国自2007年以来一直是最大的半导体消费国，但半导体产量却不足国内消耗量的10%。未来几年，中国预计将投资数十
CMP 主要负责对晶圆表面实现平坦化。晶圆制造前道加工环节主要包括7个相互独立的工艺流程：光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光、金属化 CMP 则主要用于衔接不同薄膜工艺，其中根据工艺
半导体元件若要追上摩尔定律速度，微缩制程就需要更新的技术相挺。化学材料与电子产品间的关系密不可分，美商陶氏 化学旗下分公司陶氏电子材料的最新制程
电子发烧友网报道（文/刘静）近日，北京晶亦精微科技股份有限公司（以下简称：晶亦精微）科创板IPO获上交所受理，保荐机构为中信证券。 晶亦精微成立于2019年，前身为四十五所CMP事业部，四十五所
意法半导体（ST）、Soitec与CMP（Circuits Multi Projets）携手宣佈，大专院校、研究实验室和设计公司将可透过CMP的硅中介服务採用意法半导体的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
| CAT4237 | C1608X7R1A225M | CM1248-08DE | CM1624 |
| CJ7812 | CAT1832 | C0603X104K050T | CL7 |
| CM1235 | CL330 | C8051F987-GU | CAT93C56 |
| CS3361 | CAT1022 | CAT4238 | C1608C0G1H102J |
| CAT24C256WI-GT3 | CAT24C512 | CAT93C76 | C3225X7R2A225M230AB |
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