尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    首页产品索引BSS138

    BSS138

    购买收藏
     50V N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

    制造商:ON

    中文数据手册

    产品信息

    该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。 这款产品旨在最大限度地降低导通阻抗,同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 BSS138特别适合低压、低电流应用(如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器)以及其他开关应用中。
    • 0.22 A, 50 V. R
    • = 3.5 Ω @ V
    • = 10 V. R
    • = 6.0 Ω @ V
    • = 4.5 V
    • 高密度单元设计可实现极低的 R
    • 坚固而可靠。
    • 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。

    在线购买

    型号制造商描述购买
    BSS138-T-- 立即购买
    BSS138-F169-- 立即购买
    BSS138-- 立即购买

    技术资料

    标题类型大小(KB)下载
    SOT-23PDF32 点击下载
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载
    MOSFET BasicsPDF1159 点击下载
    Power MOSFET Avalanche GuidelinePDF557 点击下载

    应用案例更多案例

    系列产品索引查看所有产品

    BAR43SBTB16-600SWRGBFG97BZV55-C7V5
    BELASIGNA R262BF998BAW56LBAY72
    BQ24735B32651A7222K189BAT54CBQ50002
    BQ24070RHLRBAV199LBQ24296BAV70M3T5G
    B3W-1052B32024A3334MBD681BFR92A
    Copyright ©2012-2024 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照