尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    首页产品索引BSS123

    BSS123

    购买收藏
     N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

    制造商:ON

    中文数据手册

    产品信息

    该 N 沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度 DMOS 技术生产。 这款产品专为最大限度地降低通态电阻并提供耐用、可靠的快速开关性能而设计。 BSS123 特别适合于小型伺服电动机控制、功率MOSFET栅极驱动器等低电压、低电流应用,以及其他开关应用。
    • 0.17 A, 100 V, R
    • = 6 Ω @ V
    • = 10 V
    • 0.17 A, 100 V, R
    • = 10 Ω @ V
    • = 4.5 V
    • 高密度单元设计可实现极低的 R
    • 坚固而可靠
    • 紧凑的工业标准 SOT-23 表面贴装封装

    在线购买

    型号制造商描述购买
    BSS123-F169-- 立即购买
    BSS123-- 立即购买

    技术资料

    标题类型大小(KB)下载
    SOT-23PDF32 点击下载
    N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorPDF271 点击下载
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
    High Speed Logic Compatible, Half-Pitch Mini-Flat Optocoupler, FODM8061PDF974 点击下载
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载

    应用案例更多案例

    系列产品索引查看所有产品

    BQ24195LBDX53CBDV64BBAT54W
    BQ2031BC81716MTFBAT46BSP297H6327XTSA1
    BQ24070RHLRBDV65BBSP52BQ24133
    BDX54CB32024A3334MBFG540/XRBELASIGNA R281
    BAS31B32K550BQ24278B5819W
    Copyright ©2012-2024 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照