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    BSS123

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     N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

    制造商:ON

    中文数据手册

    产品信息

    该 N 沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度 DMOS 技术生产。 这款产品专为最大限度地降低通态电阻并提供耐用、可靠的快速开关性能而设计。 BSS123 特别适合于小型伺服电动机控制、功率MOSFET栅极驱动器等低电压、低电流应用,以及其他开关应用。
    • 0.17 A, 100 V, R
    • = 6 Ω @ V
    • = 10 V
    • 0.17 A, 100 V, R
    • = 10 Ω @ V
    • = 4.5 V
    • 高密度单元设计可实现极低的 R
    • 坚固而可靠
    • 紧凑的工业标准 SOT-23 表面贴装封装

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    型号制造商描述购买
    BSS123-F169-- 立即购买
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    技术资料

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    SOT-23PDF32 点击下载
    N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorPDF271 点击下载
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
    High Speed Logic Compatible, Half-Pitch Mini-Flat Optocoupler, FODM8061PDF974 点击下载
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载

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