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产品分类 | ||
FET配置（电路类型） | P沟道 | |
漏源击穿电压V(BR)dss | 30V | |
漏极电流（Id, 连续） | 4A（Ta） | |
导通电阻 Rds（on） | 44毫欧 | |
阈值电压Vgs(th) | 1.3V@250µA | |
最大耗散功率 | 1.4W | |
封装/外壳 | SOT-23-3(SC-59,TO-236-3) |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| AO3401A | BORNSEMI | MOSFET P通道 30V 4.2A 50mΩ@10V,4.1A 1.4W 2V@250uA P Channel SOT-23 | 立即购买 |
| AO3401A | AOS | MOSFETs 30V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 3.2A | 立即购买 |
电源管理和小型化要求的高要求，加上整个生命周期内的高温曲线，是当今设计人员需要解决的挑战。KEMET 正在扩展 AO-CAP ® 铝聚合物 SMD 电容器，在A700 系列.KEMET 通过新的材料
准备一台远向电子的YX-AO10V-02 Modbus RTU，准备RS485转USB工具，将RS485转USB工具与YX-AO10V-02接好线连接电脑，电脑AO输出软件读取生成的COM口。
描述 NP3401YMR采用先进的战壕 提供卓越的RDS(ON)技术 一般特征 、低门 充电和工作的栅极电压低至2.5V。 本装置适用于作为负载开关或中压开关 脉宽调制的应用程序。 VDS
描述 NP3401YMR采用先进的战壕 提供卓越的RDS(ON)技术 一般特征 、低门 充电和工作的栅极电压低至2.5V。 本装置适用于作为负载开关或中压开关 脉宽调制的应用程序。 VDS
描述 NP3401YMR采用先进的战壕 提供卓越的RDS(ON)技术 一般特征 、低门 充电和工作的栅极电压低至2.5V。 本装置适用于作为负载开关或中压开关 脉宽调制的应用程序。 VDS
描述 NP3401HR采用了先进的沟槽技术 提供优良的RDS(ON)，低栅电荷和 工作电压低至2.5V。这 该器件适用于作为负载开关或PWM 应用程序。 一般特征 VDS = -30v, id
描述 NP3401MR-N采用先进的战壕 技术提供优良的RDS(ON)，低栅 充电和工作的栅极电压低至2.5V。 本装置适用于作为负载开关或中压开关 脉宽调制的应用程序。 一般特征 VDS
描述 NP3401MR采用了先进的沟槽技术 提供优良的RDS(ON)，低栅电荷和 工作电压低至2.5V。这 该器件适用于作为负载开关或PWM 应用程序。 一般特征 VDS = -30v, id
| AD8417 | AD9671 | AD8672 | ATTINY461A-MU |
| ADM213E | ADUM3160 | AD5422 | ADG1222 |
| AD9709 | ADP8140 | ADR363 | ADUM3154 |
| AD5322 | AD629 | AD9520-1 | AD9554 |
| AD1556 | AMIS-42770 | ADUM7510 | ADG884 |
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