制造商:ADI/AD
优势和特点
低噪声(0.1 Hz至10.0 Hz):3.5 µV p-p(2.5 V输出)
无需外部电容
低温度系数
A级:10 ppm/°C(最大值)
B级:3 ppm/°C(最大值)
负载调整率:15 ppm/mA
电压调整率:20 ppm/V
宽工作温度范围:7.0 V至18 V
欲了解更多特性,请参考数据手册
ADR435-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准)
下载 ADR431-EP/ADR434-EP/ADR435-EP数据手册(pdf)
军用温度范围(−55℃至+125℃)
受控制造基线
唯一封装/测试厂
唯一制造厂
增强型产品变更通知
认证数据可应要求提供
V62/11602 DSCC图纸号
产品详情
ADR43x是XFET系列基准电压源,具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET(外加离子注入场效应管)技术,可以使ADR43x电压随温度变化的非线性度降至最小。
与嵌入式齐纳基准电压源相比,XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。
ADR43x系列的源电流输出最高达30 mA,最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚,可以在0.5%范围内调整输出电压,而性能则不受影响。
ADR43x提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有版本的额定工作范围均为扩展工业温度范围−40°C至+125°C。
ADR435-EP支持军工和航空航天应用(AQEC标准)
应用
精密数据采集系统
高分辨率数据转换器
医疗仪器
工业过程控制系统
光学控制电路
精密仪器
ADR435 封装图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ADR435TRZ-EP-R7 | - | - | 立即购买 |
ADR435TRZ-EP | - | - | 立即购买 |
ADR435BRZ-REEL7 | - | - | 立即购买 |
ADR435BRZ | - | - | 立即购买 |
ADR435BRMZ-R7 | - | - | 立即购买 |
ADR435BRMZ | - | - | 立即购买 |
标题 | 类型 | 大小(KB) | 下载 |
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ADR431/ADR434/ADR435-DSCC: Military Data Sheet (Rev. A) | 68 | 点击下载 | |
AN-713: The Effect of Long-Term Drift on Voltage References (Rev. 0) | 237 | 点击下载 |
杭州东沃电子(DOWOSEMI)专业供应的ULQ2003ADR芯片,是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列,由7个NPN达林顿对组成,具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
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ADA4940-1、差分输入18位PulSAR ADC7982、 ADR435精密基准电压源,还可缓解模拟信号 通过消除对额外驱动器级的需求进行调节并节省成本 电路板空间。®
杭州东沃电子(DOWOSEMI)专业供应的ULQ2003ADR芯片,是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列,由7个NPN达林顿对组成,具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450均为低成本、低功耗、高精度基准电压源,具有± 0.1%的初始精度、低工作电流和低输出噪声特性,采用SOT23小型封装。
ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源,具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性,采用SOIC和MSOP封装。 利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术,可以
纽约时间下午4:00收盘,标普500指数下跌3.3%,报2785.68点。道琼工业平均指数下跌3.2%,报25598.74点。那斯达克综合指数下跌4.1%,报7422.05点。罗素2000指数下跌2. 9%,报1575.412点。有「恐慌指数」之称的波动率指数大涨44%点至22.96,4...
据美国电科院统计,电压暂降占据了超过92%的电能质量事件,工厂无法事先得到即将到来的电压暂降的警告。
AD5531 | ATMEGA88-20MU | AD5370 | ADP3631 |
AD783JRZ | AD842 | AD9910 | AD8667 |
AD9778 | ADL5306 | ADM8319 | AD9726 |
AMIS-30623 | AD9244 | AD7789 | AD8665 |
AD9575 | ADUM1301 | ADG702 | ADM8697 |