制造商:ADI/AD
优势和特点
低噪声(0.1 Hz至10.0 Hz): 3.5 µV p-p(2.5 V输出)
无需外部电容
低温度系数A级: 10 ppm/℃(最大值)B级: 3 ppm/℃(最大值)
负载调整率: 15 ppm/mA
线性调整率: 20 ppm/V
欲了解更多特性,请参考数据手册
ADR434-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准)下载 ADR434-EP数据手册 (pdf)
军用温度范围(−55 ℃至+125 ℃)
受控制造基线
唯一封装/测试厂
唯一制造厂
增强型产品变更通知
认证数据可应要求提供
产品详情
ADR43x是XFET系列基准电压源,具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET(外加离子注入场效应管)技术,可以使ADR43x电压随温度变化的非线性度降至最小。
与嵌入式齐纳基准电压源相比,XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。
ADR43x系列的源电流输出最高达30 mA,最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚,可以在0.5%范围内调整输出电压,而性能则不受影响。
ADR43x提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。
ADR434-EP支持军工和航空航天应用(AQEC标准)
应用
精密数据采集系统
高分辨率数据转换器
医疗仪器
工业过程控制系统
光学控制电
精密仪器
ADR434 封装图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ADR434TRZ-EP-R7 | - | - | 立即购买 |
ADR434TRZ-EP | - | - | 立即购买 |
ADR434BRZ-REEL7 | - | - | 立即购买 |
ADR434BRZ | - | - | 立即购买 |
ADR434ARZ-REEL7 | - | - | 立即购买 |
ADR434ARZ | - | - | 立即购买 |
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ADP1614ACPZ | ADA4000-4 | ASM3P2863A | ADG1421 |
ADS114S08 | ADUC7033 | AD7298 | AD9670 |
ADF4360-3 | AD4000 | ADG918 | AD8000 |
ADN2804 | ADN2913 | ATXMEGA32A4-AU | AD9467 |
ATA6670 | AD7616-P | ADG5436 | AD8073 |