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    ADR434

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    超低噪声、4.096V XFET®基准电压源,具有吸电流和源电流能力

    制造商:ADI/AD

    中文数据手册

    产品信息

    优势和特点

      低噪声(0.1 Hz至10.0 Hz): 3.5 µV p-p(2.5 V输出)

      无需外部电容

      低温度系数A级: 10 ppm/℃(最大值)B级: 3 ppm/℃(最大值)

      负载调整率: 15 ppm/mA

      线性调整率: 20 ppm/V

      欲了解更多特性,请参考数据手册

    ADR434-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准)

      下载 ADR434-EP数据手册 (pdf)

      军用温度范围(−55 ℃至+125 ℃)

      受控制造基线

      唯一封装/测试厂

      唯一制造厂

      增强型产品变更通知

      认证数据可应要求提供

    产品详情

    ADR43x是XFET系列基准电压源,具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET(外加离子注入场效应管)技术,可以使ADR43x电压随温度变化的非线性度降至最小。

    与嵌入式齐纳基准电压源相比,XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。

    ADR43x系列的源电流输出最高达30 mA,最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚,可以在0.5%范围内调整输出电压,而性能则不受影响。

    ADR43x提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。

    ADR434-EP支持军工和航空航天应用(AQEC标准)

    应用

      精密数据采集系统

      高分辨率数据转换器

      医疗仪器

      工业过程控制系统

      光学控制电

      精密仪器

    电路图、引脚图和封装图

    在线购买

    型号制造商描述购买
    ADR434TRZ-EP-R7-- 立即购买
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    技术资料

    标题类型大小(KB)下载
    ADR431/ADR434/ADR435-DSCC: Military Data Sheet (Rev. A)PDF68 点击下载
    AN-713: The Effect of Long-Term Drift on Voltage References (Rev. 0)PDF237 点击下载
    UG-444:评估AD5750工业电流/电压输出驱动器PDF399 点击下载
    UG-444: Evaluating the AD5750 Industrial Current/Voltage Output DriverPDF399 点击下载

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