制造商:ADI/AD
优势和特点
低噪声(0.1 Hz至10.0 Hz): 3.5 μV p-p(2.5 V输出)
无需外部电容
低温度系数A级: 10 ppm/℃(最大值)B级: 3 ppm/℃(最大值)
负载调整率: 15 ppm/mA
线性调整率: 20 ppm/V
宽工作电压范围ADR430: 4.1 V至18 VADR431: 4.5 V至18 VADR433: 5.0 V至18 VADR434: 6.1 V至18 VADR435: 7.0 V至18 V
高输出源电流和吸电流: +30 mA和-20 mA
宽工作温度范围: -40 ℃至+125 ℃
产品详情
ADR43x是XFET系列基准电压源,具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET(外加离子注入场效应管)技术,可以使ADR43x电压随温度变化的非线性度降至最小。
与嵌入式齐纳基准电压源相比,XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。
ADR43x系列的源电流输出最高达30 mA,最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚,可以在0.5%范围内调整输出电压,而性能则不受影响。
ADR43x提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。
应用精密数据采集系统
高分辨率数据转换器
医疗仪器
工业过程控制系统
光纤控制电路
精密仪器
ADR430 封装图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
ADR430BRZ-REEL7 | - | - | 立即购买 |
ADR430BRZ | - | - | 立即购买 |
ADR430ARZ-REEL7 | - | - | 立即购买 |
ADR430ARZ | - | - | 立即购买 |
ADR430ARMZ-REEL7 | - | - | 立即购买 |
ADR430ARMZ | - | - | 立即购买 |
标题 | 类型 | 大小(KB) | 下载 |
---|---|---|---|
AN-713: The Effect of Long-Term Drift on Voltage References (Rev. 0) | 237 | 点击下载 |
基于ADRF6655的100-2500MHz有源混频设计及应用 ADI 公司的ADRF6655是集成了PLL和VCO的高动态范围的有源混频器, 输入频率范围100MHz - 2500 M
本文介绍了ADRF5020主要特性和功能框图,以及评估板ADRF5020-EVALZ主要特性,电路图,材料清单和PCB设计图。
杭州东沃电子(DOWOSEMI)专业供应的ULQ2003ADR芯片,是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列,由7个NPN达林顿对组成,具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
杭州东沃电子(DOWOSEMI)专业供应的ULQ2003ADR芯片,是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列,由7个NPN达林顿对组成,具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
在本教程中,我们将了解代码编辑器工作室以及如何使用它来编程 MSP430。本教程是为初学者编写的,除了 MSP430 板和计算机外,不需要任何硬件。在本教程结束时,我们将能够闪烁MSP430的板载LED。
杭州东沃电子(DOWOSEMI)专业供应的ULQ2003ADR芯片,是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列,由7个NPN达林顿对组成,具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
1932年出生在瑞典后来移民美国的H•Nyquist发表了论文,采用图形的方法来判断系统的稳定性。在其基础上H•W•Bode等人建立了一套在频域范围设计反馈放大器的方法。
ADR伪指令将基于PC相对偏移的地址值或基于寄存器相对偏移的地址值读取到寄存器中。在汇编编译器编译源程序时,ADR伪指令被编译器替换成一条合适的指令。通常,编译器用一条ADD指令或SUB指令来实现该ADR伪指令的功能,若不...
ADR03 | ATMEGA2561-16AU | AD8235 | AD5722AREZ |
ADP1607 | AD8494 | AD9525 | ADSP-BF516F |
AD8468 | ADA4937-2 | ADCMP370 | ADM2682EBRIZ |
AD9772A | ADAU1401A | AD9148 | AD693 |
AD7801 | AD5373 | ADG715 | AD9958 |