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制造商：ADI/AD
优势和特点
低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）： 3.5 μV p-p（2.5 V输出）
无需外部电容
低温度系数A级： 10 ppm/℃（最大值）B级： 3 ppm/℃（最大值）
负载调整率： 15 ppm/mA
线性调整率： 20 ppm/V
宽工作电压范围ADR430： 4.1 V至18 VADR431： 4.5 V至18 VADR433： 5.0 V至18 VADR434： 6.1 V至18 VADR435： 7.0 V至18 V
高输出源电流和吸电流： +30 mA和-20 mA
宽工作温度范围： -40 ℃至+125 ℃
产品详情
ADR43x是XFET系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR43x电压随温度变化的非线性度降至最小。
与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。
ADR43x系列的源电流输出最高达30 mA，最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚，可以在0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。
ADR43x提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。
应用精密数据采集系统
高分辨率数据转换器
医疗仪器
工业过程控制系统
光纤控制电路
精密仪器
ADR430 封装图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ADR430BRZ-REEL7 | - | - | 立即购买 |
| ADR430BRZ | - | - | 立即购买 |
| ADR430ARZ-REEL7 | - | - | 立即购买 |
| ADR430ARZ | - | - | 立即购买 |
| ADR430ARMZ-REEL7 | - | - | 立即购买 |
| ADR430ARMZ | - | - | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小（KB） | 下载 |
|---|---|---|---|
| AN-713: The Effect of Long-Term Drift on Voltage References (Rev. 0) | 237 | 点击下载 |
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杭州东沃电子（DOWOSEMI）专业供应的ULQ2003ADR芯片，是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列，由7个NPN达林顿对组成，具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
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在本教程中，我们将了解代码编辑器工作室以及如何使用它来编程 MSP430。本教程是为初学者编写的，除了 MSP430 板和计算机外，不需要任何硬件。在本教程结束时，我们将能够闪烁MSP430的板载LED。
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1932年出生在瑞典后来移民美国的H•Nyquist发表了论文，采用图形的方法来判断系统的稳定性。在其基础上H•W•Bode等人建立了一套在频域范围设计反馈放大器的方法。
ADR伪指令将基于PC相对偏移的地址值或基于寄存器相对偏移的地址值读取到寄存器中。在汇编编译器编译源程序时，ADR伪指令被编译器替换成一条合适的指令。通常，编译器用一条ADD指令或SUB指令来实现该ADR伪指令的功能，若不...
| ADXL316 | AD8146 | AD9974 | ADG419 |
| AD7264 | ADSP-BF703 | AD8426 | AD8137 |
| ADD8710 | ADS7056 | ADUM1447 | ads1115 |
| ADF7902 | ADAU1966A | AD7961 | ADCMP356 |
| ADN2525 | ADG528A | ASM3P2182A | AD5398 |
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