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    ADR430

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    超低噪声、2.048V XFET®基准电压源,具有吸电流和源电流能力

    制造商:ADI/AD

    中文数据手册

    产品信息

    优势和特点

      低噪声(0.1 Hz至10.0 Hz): 3.5 μV p-p(2.5 V输出)

      无需外部电容

      低温度系数A级: 10 ppm/℃(最大值)B级: 3 ppm/℃(最大值)

      负载调整率: 15 ppm/mA

      线性调整率: 20 ppm/V

      宽工作电压范围ADR430: 4.1 V至18 VADR431: 4.5 V至18 VADR433: 5.0 V至18 VADR434: 6.1 V至18 VADR435: 7.0 V至18 V

      高输出源电流和吸电流: +30 mA和-20 mA

      宽工作温度范围: -40 ℃至+125 ℃

    产品详情

    ADR43x是XFET系列基准电压源,具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET(外加离子注入场效应管)技术,可以使ADR43x电压随温度变化的非线性度降至最小。

    与嵌入式齐纳基准电压源相比,XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。

    ADR43x系列的源电流输出最高达30 mA,最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚,可以在0.5%范围内调整输出电压,而性能则不受影响。

    ADR43x提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。

         应用

      精密数据采集系统

      高分辨率数据转换器

      医疗仪器

      工业过程控制系统

      光纤控制电路

      精密仪器

    电路图、引脚图和封装图

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    技术资料

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    AN-713: The Effect of Long-Term Drift on Voltage References (Rev. 0)PDF237 点击下载

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