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ADG636

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1 PC电荷注入、100 PA泄露、CMOS、±5 V/+5 V/+3 V双通道单刀双掷开关

制造商:ADI/AD

中文数据手册

产品信息

优势和特点

  1 pC 电荷注入

  ±2.7 V至±5.5 V双电源供电

  +2.7 V至+5.5 V单电源供电

  汽车应用温度范围: –40°C 至 +125°C

  100 pA(最大值,25°C)漏电流

  导通电阻:85 Ω典型值

  轨到轨工作

  快速开关时间

  典型功耗:

  TTL/CMOS兼容型输入

  14引脚TSSOP封装

产品详情

ADG636是一款单芯片器件,内置两个独立可选的CMOS单刀双掷(SPDT)开关。接通时,各开关在两个方向的导电性能相同。

ADG636采用±2.7 V至±5.5 V双电源或+2.7 V至+5.5 V单电源供电。

此开关在整个信号范围内具有±1.5 pC的超低电荷注入,25°C时的典型漏电流为10 pA。此外,它的典型导通电阻为85 Ω,两个通道间的匹配在2 Ω以内。它还具有低功耗和高开关速度特性。

ADG636为先开后合式开关,采用14引脚TSSOP封装。

产品聚焦1. 超低电荷注入。QINJ:±1.5 pC(典型值,整个信号范围)2. 漏电流3. 双电源(±2.7 V至±5 V)或单电源(+2.7 V至+5.5 V)供电4. 汽车应用温度范围:−40°C至+125°C5. 小型14引脚TSSOP封装

应用-自动测试设备-数据采集系统-电池供电仪表-通信系统-采样保持系统-远程供电设备-音频和视频信号路由-继电器替代方案-航空电子

电路图、引脚图和封装图

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