制造商:ADI/AD
优势和特点
低失调电压:50µV(最大值)
低输入偏置电流:1 pA(最大值)
单电源供电:1.8 V至5 V
低噪声:22 nV/√Hz
微功耗:50 µA(最大值)
低失真
无反相
单位增益稳定
产品详情
AD8603/AD8607/AD8609分别是单通道/双通道/四通道、微功耗、轨到轨输入和输出放大器,具有极低的失调电压以及低输入电压和电流噪声特性。这些放大器采用专利调整技术,无需激光调整便可达到出色的精度。三款器件均采用1.8 V至5.0 V单电源或±0.9 V至±2.5 V双电源供电。低失调、低噪声、极低输入偏置电流和低功耗特性相结合,使AD8603/AD8607/AD8609特别适合便携式和环路供电仪器仪表应用。
在输入与输出上还具有轨到轨摆幅能力,因而设计人员可以在低功耗、单电源系统中缓冲CMOS ADC、DAC、ASIC及其它宽输出摆幅器件。
AD8603提供5引脚小型TSOT封装。AD8607提供8引脚MSOP和8引脚SOIC两种封装。AD8609提供14引脚TSSOP和14引脚SOIC两种封装。
应用
电池供电仪器仪表
多极滤波器
传感器
低功耗ASIC输入或输出放大器
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)台积电在北京时间本周四公布了第三季度财报,并召开了业绩说明会。台积电三季度的业绩可谓“炸裂”,尤其是ASML刚刚的三季报中透露订单预期“爆雷”,半导体行业信心遭受打击情况下,这份财报在高于市场预期的同时,还上调了2024年全年业绩指引,并表示客户需求超过了供应能力。 台积电的这份财报,给半导体行业重新注入信心,当天台积电在美股股价最高涨超13%,收市仍保有9.8%涨幅。 3nm 制程收入大增,毛
仪表放大器(Instrumentation Amplifier),又称精密放大器(简称INA),是差分放大器的一种改良版本,专为测量小信号而设计。它具有超高输入阻抗、极其良好的共模抑制比(CMRR)、低噪声、低线性误差、低失调漂移等特点,且增益设置灵活,使用方便。仪表放大器通常由三个运算放大器组成,其中两个作为输入电压跟随器,提供高输入阻抗,而第三个运算放大器则作为差分放大器,对两个输入信号进行差分放大。
OSPF是一种典型的链路状态路由协议,一般在同一个路由域中使用。这里的路由域指的是一个自治系统(AS),是指一组通过统一的路由策略或协议相互交换路由信息的网络。
2024年10月16日,深圳国际会展中心(宝安新馆)7号馆内,为期三天的中国(深圳)机器视觉展暨机器视觉技术及工业应用研讨会VisionChina2024(深圳),在热烈的氛围中圆满落幕。此次盛会由机器视觉产业联盟(CMVU)主办,慕尼黑展览(上海)有限公司承办,为机器视觉行业的专业人士提供了一个交流和展示的平台,促进了该领域的技术进步和行业发展。 展会盛况 本次展会共吸引了近180家国内外机器视觉企业参展,累计吸引专业观众人数达35,331位,现场
PY32FC613是一款基于ARM Cortex-M0+内核的高性能国产32位单片机,QFN20封装,适用于消费类、工业类等多领域应用开发。芯片嵌入高达 64 Kbytes flash 和 8 Kbytes SRAM 存储器,最高工作频率 48 MHz。集成多路 I2C、SPI 等通讯外设,1 路 12 位 ADC,5 个 16 位定时器,以及 2 路比较器。PY32C613 系列单片机的工作温度范围为-40℃~85℃,工作电压范围为1.7 V~5.5 V。 以下是关于PY32FC613单片机的简单介绍,包括其主要特点和应用场景。 PY32C613 单片机特点: 高性能 :搭载 Cortex®-M0
设想一下,一枚小巧的芯片,宛如科技界的魔术师,能够灵活应对各种应用场景的需求。无论是日常所需的拓展坞、集线器,还是游戏娱乐的任天堂Switch底座、蓝牙发射器,乃至高清显示的Type-C便携与桌面显示器,这枚芯片都能轻松驾驭。更令人惊叹的是,它在VR/AR设备、充电转换器,甚至机器人技术领域也扮演着举足轻重的角色。 那么,这枚“全能”芯片究竟蕴含着怎样的技术奥秘呢? 首先,它全面支持USB PD 2.0并向下兼容USB PD 3.0标准,确保了与市面
双极型晶体管(BJT)是一种重要的电子元件,它在高频应用中扮演着关键角色。随着电子技术的发展,对BJT的高频性能要求也越来越高。 BJT的基本原理 BJT由两个PN结组成,分为NPN和PNP两种类型。它有三个主要区域:发射区(Emitter)、基区(Base)和集电区(Collector)。BJT的工作原理基于载流子的注入和复合过程。在正向偏置时,发射区向基区注入多数载流子,这些载流子通过基区并被集电区收集,形成集电极电流。 频率响应 截止频率(fT) :截止频率
双极型晶体管(BJT)作为电子电路中的核心组件,其性能直接影响到整个系统的表现。工作环境,包括温度、电压、电流和频率等参数,对BJT的性能有着显著的影响。 1. 温度对BJT性能的影响 温度是影响BJT性能的主要环境因素之一。温度的变化会改变半导体材料的载流子浓度和迁移率,从而影响晶体管的电流增益(β值)和漏电流。 电流增益(β值) :随着温度的升高,BJT的电流增益会降低。这是因为高温下,载流子的热激发增加,导致基区中的电子-空
ADR3425 | AD9516-5 | ATTINY88 | ADM3222 |
ADA4891-4 | ADV3229 | APT2012SRCPRV | AD8118 |
ADG904 | ADM8641 | ADUC816 | ADG431 |
ADIS16448 | AD7797 | ADXL335 | ADC121S051 |
AD8228 | AD1856 | AR0521 | AD8129 |