373 的输出端 Q0~Q7 可直接与总线相连。
当三态允许控制端 OE 为低电平时,Q0~Q7为正常逻辑状态,可用来驱动负载或总线。当 OE 为高电平时,Q0~Q7 呈高阻态,即不驱动总线,也不为总线的负载,但锁存器内部的逻辑操作不受影响。
当锁存允许端 LE 为高电平时,Q 随数据 D 而变。当 LE 为低电平时,D 被锁存在已建立的数据电平。当 LE 端施密特触发器的输入滞后作用,使交流和直流噪声抗扰度被改善 400mV。
74LS373在单片机扩展系统中的典型应用电路
当74LS373用作地址锁存器时,应使OE为低电平,此时锁存使能端G为高电平时,输出Q0-Q7的状态与输入端D1-D7状态相同;当G发生负的跳变时,输入端D0-D7 数据锁入Q0-Q7。51单片机的ALE信号可以直接与74LS373的G连接。在MCS-51单片机系统中,其连接方法如下图所示。其中输入端1D-8D接至单片机的P0口,输出端提供的是低8位地址,G端接至单片机的地址锁存允许信号ALE。输出允许端OE接地,表示三态输出门一直导通,可以送出地址信号。 1D-8D为8个输入端。1Q-8Q为8个输出端。引出端:
D0~D7 数据输入端
OE 三态允许控制端(低电平有效)
Q0~Q7 输出端
真值表:
电气参数:
推荐工作条件:
74LS373电路图
74LS373 引脚图
74LS373 封装图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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74LS373 | Other | CONUFL001-SMD- | 立即购买 |
74LS373DW | Knowles | 贴片电容(MLCC) 1808 560pF ±5% 500V C0G(NP0) | 立即购买 |
74LS373SCX | Samtec | CONN HEADER SMD 37POS 1MM | 立即购买 |
74LS373SC | SiTime | 有源晶振 3.3V ±25ppm 7.3728MHz SMD-4 | 立即购买 |
74LS373PC | Samtec | CONN RCPT 70POS 0.039 GOLD SMD | 立即购买 |
标题 | 类型 | 大小(KB) | 下载 |
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74ls373 datasheet (8-bit regis | RAR | 344 | 点击下载 |
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74hc373中文资料 | RAR | 133 | 点击下载 |
74LS54373/74ls74373 八D锁存器 中文资料 | 263 | 点击下载 |
虽然74LS573和74HC573都是八D锁存器,但是74LS属于TTL类型的集成电路,而74HC属于CMOS集成电路。
74LS373是一款常用的地址锁存器芯片,由八个并行的、带三态缓冲输出的D触发器构成。(利用74LS373设计的抢答器电路图)在单片机系统中为了扩展外部存储器,通常需要一块74LS373芯片。本文将介绍74LS373的工作原理,内容涵盖引...
74ls373和74hc573都是八D锁存器(三态)。74ls373是TTL电路,电源电压是5V。74hc573是cmos电路,电源电压工作范围是2V ~ 6V。74ls373和74hc573的引脚编排不一样。
74LS373是一款常用的地址锁存器芯片,由八个并行的、带三态缓冲输出的D触发器构成。在单片机系统中为了扩展外部存储器,通常需要一块74LS373芯片。
74LS373是一款常用的地址锁存器芯片,由八个并行的、带三态缓冲输出的D触发器构成。锁存端LE 由高变低时,输出端8 位信息被锁存,直到LE 端再次有效。 当三态门使能信号OE为低电平时,三态门导通,允许Q0~Q7输出,OE为高电平...
利用74LS373设计的抢答器电路它由一片8D锁存器74LS373。8只组别按键开关S1-S8,8组别抢答有效的状态显示发光二极管L1-L8,一个复位按键FW等组成。该8路竞赛抢答器,每组受控于一个抢答按键开关,高电平表示抢答有效。
74LS273是8位数据/地址锁存器,他是一种带清除功能的8D触发器74LS273管脚图功能表等资料。1D~8D为数据输入端,74ls2731Q~8Q为数据输出端,正脉冲触发,低电平清除,常用作8位地址锁存器。
74ls165引脚图:74LS165 pdf|sn54165A pdf
74LCX16543 | 74LVT373 | 74ACT244 | 74AUP1G98 |
74LVC540 | 74AC04 | 7B30 | 74ACT138 |
74VHCT245A | 74LCX157 | 74ACT00 | 74HC164 |
7B14 | 74AUP1G97 | 74ALVC162244 | 7B40 |
74LVT244 | 7WB3305 | 74VHC139 | 74LVC02 |