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    4N60

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    4安培, 600伏特N沟道功率MOSFET

     

    产品信息

       与UTC 4N60是一个高电压MOSFET ,并设计成有更好的特性,如快速开关时间,低门电荷,低通态电阻,并具有高耐用雪崩的特点。这个功率MOSFET通常用在高速开关电源中的应用, PWM马达控制,高高效率的DC -DC转换器和电桥电路。

    特征:

      4A,600V, RDS(on)=2.5Ω@Vgs=10V

      极低栅电荷,典型15nC

      极低反向转换电容;典型8pF

      快速开关能力

      增强的dV/di能力

      100%雪崩击穿测试

      封装型式:TO-220/TO-220F

      最大结温 150 ℃


    电路图、引脚图和封装图

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