2N7008 is an enhancement-mode (normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors, and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain
2N7008 封装图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
2N7008-G | Maxim | IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8UMAX | 立即购买 |
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“登峰造极境,国潮显峥嵘。”造极系列DDR4内存,承载着 云彣(UniWhen®) 对卓越工艺的不懈追求与极限性能的勇敢挑战。造极以匠心独运,将千年的文化积淀与现代科技的锋芒精妙结合,铸就此系列内存产品。每一比特的跃动,都是对往昔智慧的深刻致敬及未来愿景的璀璨预演,于方寸之间,彰显科技与文化相得益彰的和谐之美。 造极系列,集UDIMM与SODIMM之大成,兼容并蓄,博大而精神。精选原厂顶端颗粒,标配3200MT/s疾速频率,搭配匠心独运的CL22时序(22-22-22-52),如瀑布挂
6月18-20日,2024年欧洲电池及电动车科技展在德国斯图加特举行,亿纬锂能携全场景锂电池方案参展,向欧洲及全球客户展示最多样性的锂电池技术路线、最全场景的应用产品。
本人基于 rt-thread studio 对 N32L40XCL 进行I2C测试。具体表现为使用 N32L40XCL 的 I2C1 (PA4:I2C1_SCL;PA5:I2C1_SDA) 接口驱动四线 I2C OLED 0.96 寸屏幕。解决过程和遇到的问题及其解决方法如下。
23S05-1HDCG | 24LCS22A | 2N5655 | 24AA01 |
2SC3646 | 2SB1123 | 22-23-2021 | 2N5885 |
2N5195 | 215083-8 | 2N6388 | 2N6107 |
2N5886 | 24AA256 | 2308-4DCGI | 2N5191 |
2SA2013 | 25AA160A | 2SA2125 | 24AA014H |