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宽带功率LDMOS晶体管
Ampleon的RF功率推挽晶体管（Broadband Power LDMOS Transistor）是作为多功能设备开发的，其中考虑了广播和ISM应用
发布时间：2018-06-14
Ampleon的BLF645是作为多功能设备开发的，其中考虑了广播和ISM应用。该器件基于Ampleon的32 V LDMOS技术，无与伦比，在1至1400 MHz的频率范围内，在18 dB增益和56％漏极效率下拥有> 100 W P1dB输出功率。该封装采用推挽式，以优化宽带操作。
对于频率范围为10 MHz至3.8 GHZ的功率放大器，RF横向扩散MOS（LDMOS）晶体管因其出色的功率容量，增益，效率，线性度，可靠性和低成本而成为技术的既定选择。该技术还可用于广播和ISM（工业，科学和医疗）中的宽带应用，其中诸如带宽，耐用性和热阻等附加要求非常重要。
宽带功率LDMOS晶体管特性
对于整个器件，CW性能为1300 MHz，漏源电压V DS为32 V，静态漏极电流I Dq = 0.9 A：
平均输出功率= 100 W.
功率增益= 18 dB
排水效率= 56％
对于整个器件，1300 MHz的双音性能，32 V 的漏源电压V DS和静态漏极电流I Dq = 0.9 A：
峰值包络负载功率= 100 W.
功率增益= 18 dB
排水效率= 45％
互调失真= -32 dBc
集成ESD保护
出色的坚固性
高功率增益
高效率
卓越的可靠性
易于控制功率
符合RoHS（有害物质限制）指令2002/95 / EC
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | BLF645,112 | MOSFETs-晶体管 | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 32V 900mA 1.3GHz 16.5dB 100W LDMOST | 在线订购 |
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