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    Stratix®IIIFPGA开发套件

    Stratix®IIIFPGA开发套件

    英特尔®开发套件(The Stratix® III FPGA Development Kit)易于使用,专为快速系统集成而设计

    发布时间:2018-06-14

    SalthX®III FPGA开发工具包为开发和测试需要高性能和高密度设备的设计提供了一个完整的环境。

    英特尔 Stratix III FPGA将世界上最高的性能和最高的密度与最低的功耗相结合。您会发现Stratix III FPGA提供下一代基站,网络基础设施和高级成像设备所需的高性能和高集成度功能。

    Stratix III FPGA系列专为易用性和快速系统集成而设计,提供两种经过优化的系列变体,可满足不同的应用需求:

    • Stratix III L系列为主流应用提供平衡的逻辑,存储器和乘法器比率。

    • Stratix III E系列内存和乘法器丰富,适用于以数据为中心的应用。具有用于垂直移植的公共存储体结构的模块化I / O bank为高速I / O提供了效率和灵活性。具有动态片内匹配,输出延迟和电流强度控制的封装和芯片增强功能可提供同类最佳的信号完整性。

    Stratix®IIIFPGA开发套件特性

    Stratix III器件具有以下特性:

    • 48,000到338,000个等效逻辑单元(LE)

    • 2,430至20,497 Kbits增强型TriMatrix存储器,由三个RAM块大小组成,可实现真正的双端口存储器和先进先出(FIFO)缓冲器

    • 高速DSP模块提供9×9,12×12,18×18和36×36乘法器(高达550 MHz)的专用实现,乘法累加函数和有限脉冲响应(FIR)滤波器

    • I / O:GND:PWR比为8:1:1,同时具有片上和封装去耦,可实现稳健的信号完整性

    • 可编程功耗技术,可最大限度地降低功耗,同时最大化设备性能

    • 可选的内核电压,可在低压器件中使用(L订购代码后缀),可选择最低功耗或最高性能的操作

    • 每个器件最多16个全局时钟,88个区域时钟和116个外设时钟

    • 每个器件最多12个锁相环(PLL),支持PLL重配置,时钟切换,可编程带宽,时钟合成和动态相移

    • 存储器接口支持所有I / O bank上的专用DQS逻辑

    • 支持高速外部存储器接口,包括DDR,DDR2,DDR3 SDRAM,RLDRAM II,QDR II和QDR II + SRAM,最多可支持24个模块化I / O bank

    • 多达1,104个用户I / O引脚排列在24个模块化I / O bank中,支持各种工业I / O标准

    • 动态片上匹配(OCT),支持所有I / O bank的自动校准

    • 支持串行器/解串器(SERDES)和动态相位对齐(DPA)电路的高速差分I / O,可实现1.25 Gbps的性能

    • 支持高速网络和通信总线标准,包括SPI-4.2,SFI-4,SGMII,Utopia IV,万兆以太网XSBI,快速I / O和NPSI

    • 唯一的高密度,高性能FPGA,支持256位(AES)易失性和非易失性安全密钥,可保护设计

    • 强大的片上热插拔和电源排序支持

    • 用于配置存储器错误检测的集成循环冗余校验(CRC),具有高可用性系统支持的严重错误确定

    • 内置纠错编码(ECC)电路,用于检测和纠正M144K TriMatrix存储器模块中的数据错误

    • Nios®II嵌入式处理器支持

    • 支持英特尔®MegaCore®功能和英特尔宏功能合作伙伴计划(AMPP)的多种知识产权宏功能

           Stratix III FPGA开发套件符合RoHS标准,包括:

    • Stratix III开发板

      Stratix III EP3SL150F1152高性能FPGA

          142,500个等效逻辑单元(LE)

          744个用户I / O引脚

          384 18 x 18乘数

      计时

          125.000 MHz振荡器

          50.000 MHz振荡器

          SMA输入

          SMA输出

      组态

          MAX II闪存无源串行配置电路

              MAX II EPM2210GF256C3N CPLD

                  2,210 LEs

                  272个用户I / O引脚

                  8 KB的用户闪存

          使用Quartus®II开发软件编程的板载USB-Blaster™

          JTAG下载端口

      一般用户输入/输出

               功耗显示

                       分别显示每个电源轨

               系统复位按钮

               特定于板的DIP开关

               JTAG旁路DIP开关

               用户重置按钮

               用户按钮(x4)

               用户DIP开关(x8)

               用户LED(x8)

               用户四段7段显示

               128 x 64点像素图形显示

               LCD(16字符x 2行)

           内存设备

               128 MB DDR2 SDRAM DIMM

               16 MB DDR2 SDRAM器件(可单独寻址)

               36-Mbit QDRII SRAM器件

               4兆字节的PSRAM

               64 MB闪存

           组件和接口

               USB 2.0

               10/100/1000以太网

               两个HSMC接口

            电源

               12A DC /DCμModule - LTM4601EV

               1.5A低输入电压VLDO线性稳压器 - LTC3026EDD

               采用SOT-23封装的100 mA,低噪声,LDO微功率稳压器 - LT1761ES5-SD

               4.5A,500kHz降压型开关稳压器 - LT1374CFE

               采用ThinSOT封装的1.2 MHz / 2.2 MHz反相DC / DC转换器 - LT1931AES5

               采用MSOP-10的1- / 2通道24位μPower无延迟delta-sigma ADC - LTC2402CMS

    • Quartus II开发套件版软件,包括一年的许可证

    • 电缆及配件

      外部AC适配器电源

      电源线(包括对英国,欧洲的支持)


    Stratix III
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    DK-DEV-3SL150N开发板/评估板/验证板-开发板/套件/编程器EP3SL150 Stratix® III L FPGA 评估板在线订购

    应用案例

    • 资讯英特尔德国晶圆厂建设受阻:开工延期至2025年,量产或推迟至2030年2024-07-11

      在全球半导体产业竞争日益激烈的背景下,英特尔公司原计划在德国马格德堡斥资300亿欧元兴建的两座先进晶圆厂——Fab 29.1和Fab 29.2,本被视为提升欧洲半导体制造能力、加强全球供应链稳定性的重要举措。然而,这一雄心勃勃的项目近期却遭遇了多重挑战,导致其开工时间一再推迟,量产时间表也蒙上了阴影。

    • 资讯越南激励不足致投资流失,英特尔、LG化学转投他国2024-07-10

      越南,这个一度被视为外国投资热土的国家,近期却因激励举措的匮乏而面临投资流失的困境。据路透社报道,越南计划与投资部的报告文件揭示了该国因缺乏足够的投资激励措施,已错失包括英特尔、LG化学在内的多家海外巨头企业的巨额投资。

    • 资讯英特尔代工合作伙伴为EMIB先进封装技术提供参考流程2024-07-09

      在摩尔定律的旅程中,先进封装技术正发挥着越来越重要的作用,通过堆叠技术的创新,可以在单个设备中集成更多的晶体管。目前的大多数芯片都采用了异构架构设计,先进封装技术也让设备中采用不同制程技术、来自不同厂商、执行不同功能的芯粒能够在一起妥善工作,从而提高性能并降低功耗。 EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)是英特尔的一种2.5D先进封装技术,支持把不同的芯片放在同一块平面上相互连接。传统的2.5D封装是在芯片和基板间的硅中介

    • 资讯越南投资激励不足,错过英特尔和LG化学等公司数十亿美元投资2024-07-09

      在全球化日益加深的今天,各国对于吸引外资的竞争愈发激烈。然而,越南近期却在一场关键的国际投资争夺战中遭遇了重大挫折。据越南计划投资部最新发布的报告揭示,由于缺乏足够的投资奖励措施,越南遗憾地错失了包括英特尔、LG化学在内的多家跨国巨头数十亿美元的投资意向,这无疑给越南的经济发展蒙上了一层阴影。

    • 资讯新思科技面向英特尔代工推出可量产的多裸晶芯片设计参考流程,加速芯片创新2024-07-09

      3DIC Compiler协同设计与分析解决方案结合新思科技IP,加速英特尔代工EMIB技术的异构集成 摘要: 新思科技人工智能(AI)驱动型多裸晶芯片(Multi-die)设计参考流程已扩展至英特尔代工(Intel Foundry)的EMIB先进封装技术,可提升异构集成的结果质量; 新思科技3DIC Compiler是一个从探索到签核的统一平台,可支持采用英特尔代工EMIB封装技术的多裸晶芯片协同设计; 新思科技用于多裸晶芯片设计的IP支持高效的芯片到芯片(die-to-die)连接和高内存带宽要求。

    • 资讯英特尔x希沃:40分钟高效课堂“诞生记”2024-07-05

      暑期将至。在期末前夕的紧张氛围中,中国人民大学附属中学丰台学校三年级的学生们依然在课堂中体验学习的乐趣,通过“萝卜的倍数”互动小游戏,进行对数学的奇妙探索。作为这节课的任课老师,于老师热情回应着孩子们的求知欲,欣慰地看着孩子们在游戏中从容解答,不断夯实“倍数”相关的数学知识。 参加数学课堂互动小游戏的同学 年轻教师遭遇职业发展难题 然而此前很长一段时间,于老师一直为如何在课堂上充分调动学生积极性而烦恼。

    • 资讯“自我实现的预言”摩尔定律,如何继续引领创新2024-07-05

      59年前,1965年4月19日,英特尔公司联合创始人戈登·摩尔(Gordon Moore)应邀在《电子》杂志上发表了一篇四页短文,提出了我们今天熟知的摩尔定律(Moore’s Law)。 就像你为未来的自己制定了一个远大但切实可行的目标一样, 摩尔定律是半导体行业的自我实现 。虽然被誉为技术创新的“黄金法则”,但一些事情尚未广为人知……. 1. 戈登·摩尔完善过摩尔定律的定义 在1965年的文章中,戈登·摩尔提出,在未来十年内,芯片上的晶体管数量将每年翻一番

    • 资讯放飞压力,缓解焦虑:AI大模型为当代师生带来了什么?2024-07-05

      引言: 在北京人大附中丰台学校小学部,一场革命性的数字化教育变革正在悄然进行。学生和教师在希沃交互智能平板的支持下,体验到了前所未有的教学方式——从充满趣味性的数学课,到即时生成的个性化学习报告,一切都在AI的智慧下,展现出教育的新时代面貌。 2021年“双减”政策的颁布,为基础教育带来了重大变革。在双减政策的背景下,如何有效实现教育目标成为当务之急。传统的教育模式已无法满足现代社会的需求,伴随着AI的快速发展,

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