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VRF2933射频功率垂直MOSFET
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Microsemi提供用于宽带商用和军用应用的VRF2933 RF功率垂直MOSFET(VRF2933 RF Power Vertical MOSFET)
发布时间:2018-06-14
Microsemi Power Products的 VRF RF MOSFET是工业标准RF晶体管的改进替代品。它们采用坚固耐用的设计,漏极电压至少为170 V.
Microsemi的VRF2933是一款金金属化硅n沟道射频功率晶体管,专为需要高功率和增益而不影响可靠性,耐用性或互调失真的宽带,商用和军事应用而设计。
VRF2933射频功率垂直MOSFET特性
3:1在指定的工作条件下加载VSWR功能
300 W,30 MHz,50 V时最小增益为20 dB
出色的稳定性和低IMD
改善的坚固性V (BR)DSS = 170 V.
耐火金金属化
常见的源配置
热增强型封装
氮化物钝化
符合RoHS标准
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
| VRF2933 | 时钟/计时 - IC 电池 | MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M177 | 在线订购 |
应用案例
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