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    AlphaMOS™

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    Alpha和Omega的30 V功率MOSFET(AlphaMOS™)可以减少传导损耗

    发布时间:2018-06-14

    Alpha和Omega Semiconductor的 AlphaMOS 30 V技术可在先进的电源系统中实现更高的功率密度和性能,使设计人员能够在要求苛刻的应用中降低功耗。AON6500采用无卤素DFN 5 x 6封装,经过100%UIS和R G测试。


    AlphaMOS™特性

    • AOS发布了AON6500X,一款低于mΩ的30 V n沟道功率MOSFET

    • 新器件采用DFN 5 x 6封装,具有0.95mΩ(最大值)的同类最佳导通电阻。

    • 该解决方案非常适用于高端计算,电信和负载点电源应用所需的DC / DC转换,O形环MOSFET和E-fuse安全开关功能。

    AlphaMOS
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    AON6500MOSFETs-晶体管MOSFET N CH 30V 71A DFN5X6¥4.61160在线订购

    应用案例

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