尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    主页所有制造商VishayE系列功率场效应晶体管

    E系列功率场效应晶体管

    E系列功率场效应晶体管

    Vishay / Siliconix提供600 V和650 V N沟道E系列功率场效应晶体管(E Series Power MOSFETs)

    发布时间:2018-06-14

    Vishay / Siliconix 600 V和650 V N沟道功率场效应晶体管系列具有超低的最大导通电阻和广泛的额定电流。基于Vishay的下一代超级结技术,E系列MOSFET提供超低栅极电荷和低栅极电荷时间导通电阻,这是功率转换应用中使用的MOSFET的关键品质因数(FOM)。

    Vishay的E系列600 V和650 V N沟道功率MOSFET采用超级结技术,可实现高效率和功率密度,同时在各种额定电流范围内提供更低的输入电容和更高的开关速度。这些场效应晶体管在10 V时提供超低的最大导通电阻,从39mΩ到600mΩ,比同一芯片尺寸的上一代S系列器件低30%。这种低导通电阻转换为极低的导通损耗,可在高功率,高性能开关模式应用中节省能量。E系列提供TO-247,TO-220,TO-220 FullPAK,薄导联TO-220 FullPAK,TO-251(IPAK),TO-252(DPAK)和TO-263(D²PAK)封装超低栅极电荷和低栅极电荷时间导通电阻FOM,适用于功率转换应用。


    E系列功率场效应晶体管特性

    • 电荷平衡超级结技术

    • 与上一代器件相比,导通电阻降低了30%,从而提高了效率和功率密度

    • 广泛的额定电流范围为6A至73A

    • 超低的最大导通电阻,在10 V时从39mΩ到600mΩ

    • 低栅极电荷和标准FOM

    • 较低的输出电容(Coss)可降低Co(er)损耗

    • 提高切换速度

    • Avalanche(UIS)具有可靠的运行等级

    • 符合RoHS指令2002/95 / EC

    • 提供TO-247,TO-220,TO-220 FullPAK,薄导联TO-220 FullPAK,TO-251(IPAK),TO-252(DPAK)和TO-263(D²PAK)封装

    E Series Power MOSFETs
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    SIHA22N60E-E3MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 600V 21A TO-220¥20.60000在线订购
    SIHG47N60E-E3MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC在线订购
    SIHB15N60E-GE3MOSFETs-晶体管MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=15A RDS(ON)=28mΩ@10V在线订购
    SIHG22N60E-E3MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC在线订购
    SIHG33N60E-GE3MOSFETs-晶体管MOSFETN-CH600V33ATO-247AC¥30.25000在线订购
    SIHB33N60E-GE3MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 600V 33A TO-263在线订购
    SIHD7N60E-GE3MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 600V 7A TO-252在线订购
    SIHF12N60E-E3MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP在线订购
    SIHB12N60E-GE3MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 600V 12A TO263在线订购
    SIHF7N60E-E3MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 600V 7A TO-220在线订购
    SIHB22N60E-GE3MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK在线订购
    SIHA12N60E-E3MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 600V 12A TO-220在线订购
    SIHA15N60E-E3MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 600V 15A TO-220在线订购
    SIHB24N65E-E3MOSFETs-晶体管N-Channel 650V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK在线订购
    SIHB30N60E-GE3MOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK在线订购

    应用案例

    • 资讯Vishay堆叠式聚合物钽电容器和AMD Xilinx Versal Premium系列VPK120评估套件产品特性介绍2024-04-08

        本期DigiKeyDaily 向大家推荐两款产品——Vishay 堆叠式聚合物钽电容器和AMD Xilinx Versal Premium 系列 VPK120 评估套件。   1 产品一:Vishay 堆叠式聚合物钽电容器 Vishay 堆叠式聚合物钽电容器 是一种可表面安装的解决方案,可为空间受限的应用提供最大的电容和电压。 许多设计需要使用高电容值来存储高能量。这通常是通过并联使用许多电容器来实现的。 在以体积效率、稳定的电气参数、高可靠性和长使用寿命为主要考虑因素的应用中,钽聚合物技术通常

    • 资讯Vishay EDLC电容产品符合汽车级AEC-Q200认证2024-03-29

      双电层储能电容器 ( EDLC ) 是电容界中有特色的一类产品。这主要是因为其特殊的结构:其由两个活性炭电极组成,两个电极由电解质隔开,这就形成了所谓的“双电层效应” ( 如图 1 ),

    • 资讯Vishay推出适用于测试设备应用的T55系列钽电容器2024-03-18

      全球知名的电子元器件授权代理商富昌电子(Future Electronics)为测试设备应用推介来自 Vishay Intertechnology, Inc. 的 T55 系列 vPolyTan 聚合物钽电容,旨在满足测试设备应用对高性能元件的需求。

    • 资讯Vishay推出升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外收发器模块,延长链路距离,提高抗ESD可靠性2024-03-15

      器件符合 IrDA® 标准,采用内部开发的新型 IC 和表面发射器芯片技术,可以即插即用的方式替换现有解决方案   美国 宾夕法尼亚 MALVER N 、中国 上海 — 2024 年 3 月 13 日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出适于IrDA®应用的升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外(IR)收发器模块,链路距离延长20 %,抗ESD能力提高到2 kV。器件支持115.2 kbit/s 数据速率(SIR),链路距离为1米,适用于能量表和监控器、工业自动化控制、手机和医疗

    • 资讯Vishay推出升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外收发器模块2024-03-15

      Vishay近日发布了升级版的TFBS4xx和TFDU4xx系列红外(IR)收发器模块,专为IrDA®应用而设计。此次升级显著提升了模块的性能,使得链路距离延长了20%,并且其抗静电放电(ESD)能力提升至2 kV,从而在复杂环境中提供了更高的可靠性和稳定性。

    • 资讯Vishay宣布推出升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外(IR)收发器模块2024-03-14

      日前,Vishay 宣布,推出适于 IrDA 应用的升级版 TFBS4xx 和 TFDU4xx 系列红外(IR)收发器模块,链路距离延长 20 %,抗 ESD 能力提高到 2 kV。器件支持 115.2 kbit/s 数据速率(SIR),链路距离为 1 米,适用于能量表和监控器、工业自动化控制、手机和医疗设备无线通信和数据传输。

    • 资讯Vishay推出30V N沟道TrenchFET第五代功率MOSFET2024-03-12

      全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率MOSFET旨在进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用中的功率密度,并显著增强热性能,从而为用户带来更为出色的性能体验。

    • 资讯Vishay助力同济电车队斩获佳绩,创新技术提升赛车性能2024-03-12

      在充满激情与挑战的2023年大学生方程式系列赛事中,同济大学电车队凭借出色的表现再次赢得了广泛的赞誉。车队不仅在竞争激烈的中国赛区(FSEC)中脱颖而出,更在日本赛区(FSAEJ)的比赛中取得了令人瞩目的成绩,特别是在Design Final Event中荣获第三名,彰显了同济电车队在赛车设计领域的卓越实力。

    Copyright ©2012-2024 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照