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DTMOSIV 超级结 MOSFET
来自 Toshiba 的超低 RDS(ON)、600 V 超级结 MOSFET（DTMOSIV Superjunction MOSFETs）
发布时间：2018-06-14
Toshiba 的 600 V DTMOSIV 超级结 (SJ) MOSFET 具有超低 RDS(ON)，是一种理想的开关器件，适用于同时需要高速、高效和低 EMI 噪声的开关电源、微逆变器、适配器、光伏逆变器和其它电源应用。
超级结 MOSFET 具有超低电阻，且无功率损失。 因此，Toshiba 在其最新系列高速、高效 600 V 功率 MOSFET 中采用了全新 DTMOSIV 工艺，相对同核心尺寸的第三代 DTMOS 产品，额定导通电阻值降低了 30%。
该器件优势是，设计人员现在可以选择采用 TO-220SIS 封装、RS(ON) 仅为 0.065 Ω 的 600 V MOSFET，或选择采用 TO-247 封装、RDS(ON) 低至 0.04 Ω 的类似器件。
除了降低导通电阻外，DTMOSIV 工艺还允许 Toshiba 最大限度地提升 MOSFET 输出电容 (Coss)，以优化在轻负载条件下开关电源的工作性能。 经过优化的栅漏电容 (Cgd) 改进了 DV/DT 开关控制，同时优化型 RDS(ON)*Qg 品质因数支持高能效开关。 通过支持更低的 DV/DT 额定值，DTMOSIV 还降低了高速开关电路中的 EMI 噪声。
DTMOSIV 超级结 MOSFET特性
优化开关特性：
易于控制
低 EMI
宽 RDS(ON) 范围变化
18 mΩ 至 900 mΩ（最大值）
改进了 RDS(ON) x 区
封装系列产品包括：
DPAK, IPAK, D²PAK, I²PAK, TO-220, TO-220SIS, TO-247, TO-3P(N), TO-3P(L)
DTMOSIV 超级结 MOSFET应用
开关式电源
光伏逆变器
微逆变器
适配器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | TK10P60W,RVQ | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK | ￥10.51308 | 在线订购 |
 | | TK16A60W,S4VX | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS | ￥6.23160 | 在线订购 |
 | | TK31J60W,S1VQ | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N) | ￥83.85222 | 在线订购 |
| | TK39J60W5,S1VQ | MOSFETs-晶体管 | N-Channel 600V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-3P(N) | ￥115.88400 | 在线订购 |
| | TK39J60W,S1VQ | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P | 在线订购 |
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