碳化硅功率肖特基二极管
来自 GeneSiC能够改进电路能效的功率肖特基二极管(Silicon Carbide Power Schottky Diodes)
发布时间:2018-06-14
GeneSiC Semiconductor 推出其碳化硅功率肖特基二极管。 这款产品具有以下提升 :提高电路能效(降低了总体成本),降低了开关损耗,可简单地进行无热失控器件并联,散热器要求更小,反向恢复电流低,器件电容低,以及反向泄漏电流低。 这两种产品额定电压为 1200 V,采用 TO-252 封装,并在 26 nC 时提供 2 A 电流,以及 35 nC 时提供 5 A 电流。
碳化硅功率肖特基二极管特性
1200 V 肖特基整流器
175°C 最高工作温度
开关行为与温度无关
优越的浪涌电流能力
正 Vf 温度系数
开关速度极快
出色的品质因数 Qc/If
碳化硅功率肖特基二极管应用
功率因数校正 (PFC)
开关模式电源 (SMPS)
太阳能逆变器
风轮机逆变器
电机驱动器
感应加热
高电压倍增器