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    碳化硅功率肖特基二极管

    碳化硅功率肖特基二极管

    来自 GeneSiC能够改进电路能效的功率肖特基二极管(Silicon Carbide Power Schottky Diodes)

    发布时间:2018-06-14

    GeneSiC Semiconductor 推出其碳化硅功率肖特基二极管。 这款产品具有以下提升 :提高电路能效(降低了总体成本),降低了开关损耗,可简单地进行无热失控器件并联,散热器要求更小,反向恢复电流低,器件电容低,以及反向泄漏电流低。 这两种产品额定电压为 1200 V,采用 TO-252 封装,并在 26 nC 时提供 2 A 电流,以及 35 nC 时提供  5 A 电流。

    碳化硅功率肖特基二极管特性

    • 1200 V 肖特基整流器

    • 175°C 最高工作温度

    • 开关行为与温度无关

    • 优越的浪涌电流能力

    • 正 Vf 温度系数

    • 开关速度极快

    • 出色的品质因数 Qc/If

    碳化硅功率肖特基二极管应用

    1. 功率因数校正 (PFC)

    2. 开关模式电源 (SMPS)

    3. 太阳能逆变器

    4. 风轮机逆变器

    5. 电机驱动器

    6. 感应加热

    7. 高电压倍增器

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