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STripFET™V系列功率MOSFET
意法半导体的低压MOSFET（STripFET™ V Series Power MOSFETs）是开关拓扑效率的关键因素
发布时间：2018-06-14
意法半导体的低压MOSFET是DC / DC转换器和电机控制应用中开关拓扑效率的关键因素。例如，对于同步降压转换器，高频开关损耗的主要贡献是高侧（HS）FET（控制FET）中的开关损耗和低侧（LS）FET（同步FET）中的导通损耗。ST的STripFET V技术具有最佳的开关品质因数（R DS（上）* Qg）因此是HS的理想选择。此外，STripFET VI DeepGATE™具有每个区域最低的RDS（on）值之一，因此对LS更好。ST提供PowerFLAT™封装的一系列30伏（H5和H6）和40伏（F5和F6）FET，结合最新STripFET技术的特性，用于HS和LS组合，具有更高的功率密度和热容量PowerFLAT包装。
STripFET™V系列功率MOSFET特性
R DS（on）* Qg行业基准
极低的导通电阻R DS（on）
极低的开关栅极电荷
高雪崩坚固性
低栅极驱动功率损耗
高功率密度
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
;;2_tmb.jpg) | | STD65N3LLH5 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N CH 30V 65A DPAK | 在线订购 | |
 | | STD95N2LH5 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 25V 80A DPAK | ￥5.59333 | 在线订购 |
 | | STP85N3LH5 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 | ￥8.20380 | 在线订购 |
 | STS11N3LLH5 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | 在线订购 | ||
 | | STS14N3LLH5 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC | ￥6.06833 | 在线订购 |
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