特征

• 改善了栅极，雪崩和动态dV / dt坚固性

• 充分表征的电容和雪崩SOA

• 增强的体二极管dv / dt和di / dt能力

• 无铅/符合RoHS标准，不含铅，不含溴，不含卤素

优点

• 该系列StrongIRFET™器件为工业市场提供多种基准性能MOSFET。

• 广泛的产品组合和封装产品为设计人员提供了为其应用选择最佳器件的灵活性。