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XLamp® XB-D LEDs
Cree的XB-D LED（XLamp® XB-D LEDs）经过优化，可显着降低任何照明应用的系统成本
发布时间：2018-06-14
XLamp XB-D是Cree最新的照明级LED，为LED照明应用带来下一代性能和价格。XLamp XB-D的性能与XP-G LED相似，封装比XLamp XP占地面积小48％。
使用Cree最新一代基于碳化硅的LED芯片，XB-D经过优化，可显着降低任何照明应用中的系统成本
XLamp® XB-D LEDs特性
Cree最小的照明级LED：2.45 mm x 2.45 mm
有皇家蓝色，蓝色，绿色，红橙色和红色可供选择
1 A最大驱动电流
低热阻：6.5°C / W.
宽视角：115°
可回流焊接 - JEDEC J-STD-020C兼容
在≤30°C / 85％RH下无限制的使用寿命
电中性热路径
符合RoHS和REACH标准
UL认可的组件（E349212）
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | XBDAWT-00-0000-000000F51 | 发光二极管/LED-光电器件 | LED XLAMP COOL WHITE 6200K 2SMD | ￥4.62391 | 在线订购 |
| | XBDRED-00-0000-000000701 | 发光二极管/LED-光电器件 | XLAMP XBD COLOR RED | ￥8.98112 | 在线订购 |
| | XBDGRN-00-0000-000000B01 | 发光二极管/LED-光电器件 | LED Lighting Color XLamp® XB-D Green 528nm (520nm ~ 535nm) 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | ￥8.98112 | 在线订购 |
| | XBDAWT-00-0000-000000E51 | 发光二极管/LED-光电器件 | LED XLAMP COOL WHITE 6200K 2SMD | ￥4.26822 | 在线订购 |
| | XBDBLU-00-0000-000000Z01 | 发光二极管/LED-光电器件 | LED XLAMP XBD BLUE 475NM 2SMD | ￥8.98104 | 在线订购 |
| | XBDAWT-00-0000-000000FE2 | 发光二极管/LED-光电器件 | LED XLAMP COOL WHITE 5700K 2SMD | ￥5.33527 | 在线订购 |
| | XBDAWT-00-0000-00000LBE7 | 发光二极管/LED-光电器件 | LED XLAMP WARM WHITE 3000K 2SMD | 在线订购 | |
| | XBDRDO-00-0000-000000901 | 发光二极管/LED-光电器件 | XLAMP XBD COLOR ORANGE-RED | ￥8.89212 | 在线订购 |
| | XBDAWT-00-0000-000000CE5 | 发光二极管/LED-光电器件 | LED XLAMP NEUTRAL WHT 4000K 2SMD | ￥4.00146 | 在线订购 |
| | XBDAWT-00-0000-000000EE2 | 发光二极管/LED-光电器件 | LED XLAMP COOL WHITE 5700K 2SMD | ￥4.71282 | 在线订购 |
应用案例
资讯国芯思辰｜基本半导体1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机二次侧整流2022-07-20
车载充电机可实现交流输入（85VAC~265VAC）/直流输出（200VDC-750VDC）输出的功能，其电路的核心架构通常由整流、PFC升压、LLC逆变、输出整流四部分组成。通常传统的Si器件由于其反向恢复和开关频率的限制，已经不能满足车载充电机对效率的需求，本文针对车载充电机的二次侧整流部分推荐基本半导体的1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC（替代科锐C4D30120D），该二极管
资讯CREE(科锐)公司的历史和产品变迁2023-07-10
说到GaN(氮化镓)产品，不得不说到一家美国公司:CREE科锐，可以说，讲GaN材料应用到极致，并产生商业价值最大化，全球没有第二家公司超越。 经常听到一些芯片行业朋友说到CREE公司和Wolfspeed公司，有点混淆。 CREE公司于1987年成立于美国北卡罗莱纳，1989年以LED灯珠商用化迅速抢占全球市场，由于当时的市场主要还是白炽灯的时代，而LED灯珠以超高的能效比，全球市场需求迅速爆发，仅4年时间即实现美国NASDAQ上市。 由于LED灯珠的制造工艺，涉及到SiC材料
资讯国芯思辰｜基本半导体低开关损耗碳化硅肖特基二极管B1D02065E(替代C3D02065E)助力LED电源效率的提升2022-08-26
显示屏电源是LED显示屏的重要组成部分，主要用来给显示屏发光二极管提供必要的工作电流，保证屏体正常显示。LED电源框图如图所示。LED电源框图整流器是LED电源转换模块的核心元器件。为了更好地将交流电转换为直流电，设计师更倾向于碳化硅肖特基二极管整流器，因其具有极快的开关速度、超低的正向电压降、极低的反向恢复时间、低泄漏和高结温能力。基本半导体碳化硅肖特基二
资讯CGHV14250 L波段放大器CREE2023-04-24
Wolfspeed的CGHV14250是种致力于高效化设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)；高增益和宽带宽性能；从而使CGHV14250成为1.2–1.4GHzL波段雷达放大器应用领域的最佳选择。CGHV14250晶体管适合于从UHF到1600MHz的特殊频率段技术应用。封装的选项有陶瓷/金属法兰和药丸式封装。 特征 FET调谐范围UHF至1800MHz 330W常见额定功率 18dB功率增益值 77%常见栅极高效率 内部预适配输入；前所未有的输入输出 技术应用 L波段雷达放大器 CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多
资讯CGHV60170D L波段放大器CREE2023-04-11
Wolfspeed的CGHV60170D是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与硅或砷化镓相比较，CGHV60170D具备更优越的使用性能；包含更高击穿场强；更高饱和电子偏移速率；和更高传热性。与Si和GaAs晶体管相比较，CGHV60170D具有更强的功率密度和更宽的带宽。 特征 65%的常见功率附带高效率 170W经典PSAT 50伏操控 高击穿场强 高至6GHz的操作频率 应用 宽带放大器 战略通讯设备 卫星通讯 工业化，科学和医疗放大器电路 ClassA;AB；主要用于OFDM的线型放大器电路；无线频分多
资讯L波段放大器CGH40120介绍2023-04-04
Wolfspeed的CGH40120是前所未有的；氮化镓(GaN)；高电子迁移率晶体管(HEMT)。CGH40120选用28伏电源供应；具备通用型；各种射频和微波应用宽带宽解决方案。GaNHEMT具备高效化；高增益和宽带宽宽性能；使CGH40120成为了线型和压缩功率放大电路的最佳选择。CGH40120选用金属陶瓷丸和法兰盘封装。 特征 高至2.5GHz的操作 1.0GHz时的20dB小信号增益值 2.0GHz时的15dB小信号增益值 120W典型PSAT PSAT效率为70% 28伏操控 应用 2路专用型无线通信 宽带放大器 蜂窝基础设施建设 测试设
资讯C波段功率放大器CMPA5259025介绍2022-09-22
Wolfspeed的CMPA5259025F专门为实现高效率而设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)；高增益;和宽带宽性能；从而使得CMPA5259025F特别适合5.2–5.9GHz雷达放大器技术应用。CMPA5259025F选用陶瓷/金属法兰封装。 特征 30dB小信号增益值 PSAT的效率为50% 电压高达28V 高击穿电压 应用 雷达放大器 CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品，CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴，符合射频的需求，CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的
资讯C波段功率放大器CMPA601C025简介2022-09-19
Wolfspeed的CMPA601C025以氮化镓为载体(GaN)晶体管具有较高电子迁移率(HEMT)单片微波集成电路(MMIC)，处于碳化硅衬底上；采用0.25-μm栅极长度的技术工艺。与硅相比较，SiC上的GaN性能更强；GaAs或GaNonSi；包含更高的击穿场强、更高的饱和电子漂移速度与更高的导热系数。与Si相比较，GaNHEMT还提供了更高的功率密度和更宽的频带宽度；GaAs；和GaNonSi晶体管。CMPA601C025无功功率配对放大器的设计思路能够实现非常宽的频带宽度。 特征 34dB小信号增益值 40W典型PSAT 电压
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