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SUM70101EL 100 V P 沟道 MOSFET
Vishay 推出一种 P 沟道 MOSFET（SUM70101EL 100 V P-Channel MOSFET），可降低功耗和传导损耗并实现功率密度提升
发布时间：2018-06-13
Vishay Siliconix 的 SUM70101EL MOSFET 具有业内领先的 RDS(ON)（-10 V 时 0.0101 Ω、-4.5 V 时 0.015 Ω），这会最大限度降低传导损耗并提升效率。
SUM70101EL 100 V P 沟道 MOSFET特性
TrenchFET® 功率 MOSFET
低热阻封装
结温最高 175°C
低 RDS(ON) 将传导损耗降至最低
兼容逻辑电平栅极驱动
通过了 100% Rg 和 UIS 测试
SUM70101EL 100 V P 沟道 MOSFET应用
电池保护
电机驱动控制
负载开关
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SUM70101EL-GE3 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P-CH 100V 120A TO263 | ￥16.29016 | 在线订购 |
应用案例
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近期，半导体行业又迎来一系列重大变动。
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资讯美国威世宣布重组裁员800人2024-09-26
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