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低RDS（ON）P沟道MOSFET
东芝用于便携式设备的低RDS（ON）P沟道MOSFET（Low RDS(ON) P-Channel MOSFET）：SSM6J505NU，SSM6J501NU，SSM6J503NU
发布时间：2018-06-14
随着移动产品的电池容量增加，充电电流也增加。东芝的产品采用最新的UMOS VI工艺，提供小型2.0 mm×2.0 mm×0.75 mm封装（UDFN6B）产品，可实现低导通电阻并允许大电流。它非常适合作为智能手机等移动设备的充电开关。
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
_tmb.jpg) | | SSM6J505NU,LF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B | ￥3.25480 | 在线订购 |
| | SSM6J503NU,LF(T | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A | 在线订购 |
应用案例
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近日，美的集团股份有限公司宣布了一项重大收购计划，其子公司海南美的楼宇科技有限公司已与东芝电梯株式会社签署了股权认购协议。根据协议内容，海南美的楼宇科技有限公司将收购东芝电梯在中国市场的合资公司——东芝电梯(中国)有限公司及东芝电梯(沈阳)有限公司的部分股权。 此次收购的目标合资公司是东芝电梯与中国合作伙伴士国际集团共同运营的。交易完成后，美的集团将通过海南美的楼宇科技有限公司掌握该合资公司的控股权，从而
资讯释放东芝TC358775XBG芯片的力量：现代工程的变革者2024-11-22
显示技术的快速发展需要高性能、可靠且多功能的组件。东芝的TC358775XBG芯片，作为移动外围设备的基石，体现了这一需求。作为一款CMOS数字集成电路，TC358775XBG凭借其将DSI桥接到LVDS的能力脱颖而出，为工程师处理前沿显示解决方案提供了大量功能。 TC358775XBG芯片概述 TC358775XBG是TC358764XBG/TC358765XBG的后续产品，通过与其前身的引脚兼容性确保了无缝集成。这款DSI到LVDS桥接芯片通过DSI链路推动LVDS兼容的显示面板，有效地促进了视频流输出。它在双链路LV
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