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    XQ-B和XQ-D LED

    XQ-B和XQ-D LED

    Cree的XLamp XQ-B和XQ-D LED(XQ-B and XQ-D LEDs)彻底改变了中功率LED

    发布时间:2018-06-14

    Cree XLamp XQ-B LED通过提供照明级可靠性和比典型塑料封装更广泛的光线,彻底改变了中功率LED。XQ-B创新的宽光发射使更换管和面板灯具有流畅的外观,同时通过使用更少的LED来降低系统成本。Cree XLamp XQ-D LED通过提供照明级可靠性和比典型塑料封装更广泛的光线,彻底改变了低成本,高功率LED。XQD创新的宽光发射可以改善替换灯的全方位性,同时通过使用更少的LED来降低系统成本。


    XQ-B
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    XQBAWT-00-0000-00000L051发光二极管/LED-光电器件LED XLAMP COOL WHITE 6200K 2SMD¥1.68951在线订购
    XQBAWT-00-0000-00000HXE5发光二极管/LED-光电器件LED Lighting XLamp® XQ-B White, Neutral 4000K 3V 80mA 140° 0606 (1616 Metric)在线订购
    XQBAWT-02-0000-00000HXE7发光二极管/LED-光电器件LED XLAMP WARM WHITE 3000K 0606在线订购
    XQBAWT-02-0000-00000L051发光二极管/LED-光电器件LED XLAMP COOL WHITE 6200K 2SMD在线订购
    XQBAWT-00-0000-00000B051发光二极管/LED-光电器件LED XLAMP COOL WHITE 6200K 2SMD在线订购
    XQ-D
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    XQDAWT-00-0000-00000HDE5发光二极管/LED-光电器件LED XLAMP NEUTRAL WHT 4000K 2SMD在线订购
    XQDAWT-00-0000-00000HBE8发光二极管/LED-光电器件LED XLAMP WARM WHITE 2700K 2SMD¥6.58424在线订购
    XQDAWT-00-0000-00000HDE3发光二极管/LED-光电器件LED XLAMP COOL WHITE 5000K 2SMD在线订购
    XQDAWT-00-0000-00000LE51发光二极管/LED-光电器件LED XLAMP COOL WHITE 6200K 2SMD¥6.04421在线订购
    XQDAWT-00-0000-00000HEE3发光二极管/LED-光电器件LED XLAMP COOL WHITE 5000K 2SMD¥6.48269在线订购

    应用案例

    • 资讯CGHV14250 L波段放大器CREE2023-04-24

      Wolfspeed的CGHV14250是种致力于高效化设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT);高增益和宽带宽性能;从而使CGHV14250成为1.2–1.4GHzL波段雷达放大器应用领域的最佳选择。CGHV14250晶体管适合于从UHF到1600MHz的特殊频率段技术应用。封装的选项有陶瓷/金属法兰和药丸式封装。 特征 FET调谐范围UHF至1800MHz 330W常见额定功率 18dB功率增益值 77%常见栅极高效率 内部预适配输入;前所未有的输入输出 技术应用 L波段雷达放大器 CREE(科锐)成立于1987年,CREE科锐具备30多

    • 资讯CGHV60170D L波段放大器CREE2023-04-11

      Wolfspeed的CGHV60170D是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与硅或砷化镓相比较,CGHV60170D具备更优越的使用性能;包含更高击穿场强;更高饱和电子偏移速率;和更高传热性。与Si和GaAs晶体管相比较,CGHV60170D具有更强的功率密度和更宽的带宽。 特征 65%的常见功率附带高效率 170W经典PSAT 50伏操控 高击穿场强 高至6GHz的操作频率 应用 宽带放大器 战略通讯设备 卫星通讯 工业化,科学和医疗放大器电路 ClassA;AB;主要用于OFDM的线型放大器电路;无线频分多

    • 资讯L波段放大器CGH40120介绍2023-04-04

      Wolfspeed的CGH40120是前所未有的;氮化镓(GaN);高电子迁移率晶体管(HEMT)。CGH40120选用28伏电源供应;具备通用型;各种射频和微波应用宽带宽解决方案。GaNHEMT具备高效化;高增益和宽带宽宽性能;使CGH40120成为了线型和压缩功率放大电路的最佳选择。CGH40120选用金属陶瓷丸和法兰盘封装。 特征 高至2.5GHz的操作 1.0GHz时的20dB小信号增益值 2.0GHz时的15dB小信号增益值 120W典型PSAT PSAT效率为70% 28伏操控 应用 2路专用型无线通信 宽带放大器 蜂窝基础设施建设 测试设

    • 资讯C波段功率放大器CMPA5259025介绍2022-09-22

      Wolfspeed的CMPA5259025F专门为实现高效率而设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT);高增益;和宽带宽性能;从而使得CMPA5259025F特别适合5.2–5.9GHz雷达放大器技术应用。CMPA5259025F选用陶瓷/金属法兰封装。 特征 30dB小信号增益值 PSAT的效率为50% 电压高达28V 高击穿电压 应用 雷达放大器 CREE(科锐)成立于1987年,CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品,CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴,符合射频的需求,CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的

    • 资讯C波段功率放大器CMPA601C025简介2022-09-19

      Wolfspeed的CMPA601C025以氮化镓为载体(GaN)晶体管具有较高电子迁移率(HEMT)单片微波集成电路(MMIC),处于碳化硅衬底上;采用0.25-μm栅极长度的技术工艺。与硅相比较,SiC上的GaN性能更强;GaAs或GaNonSi;包含更高的击穿场强、更高的饱和电子漂移速度与更高的导热系数。与Si相比较,GaNHEMT还提供了更高的功率密度和更宽的频带宽度;GaAs;和GaNonSi晶体管。CMPA601C025无功功率配对放大器的设计思路能够实现非常宽的频带宽度。 特征 34dB小信号增益值 40W典型PSAT 电压

    • 资讯基本半导体碳化硅B1M080120HC助力光伏逆变器设计2022-08-27

      基本半导体碳化硅MOSFET B1M080120HC(替代C2M0080120D)助力光伏逆变器设计

    • 资讯LED灯珠结构分析2021-11-29

      Cree灯珠内部空洞   ymf

    • 资讯Cree|Wolfspeed与意法半导体扩大现有150mm SiC晶圆供应协议2021-08-20

      意法半导体总裁兼首席执行官 Jean-Marc Chery 表示:“此次最新的扩大与科锐的长期晶圆供应协议,将继续提高我们全球 SiC 衬底供应的灵活性。

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