FDMS8333LPowerTrench®

安森美半导体的40 V N沟道PowerTrench MOSFET（FDMS8333L PowerTrench®）

发布时间：2018-06-14

这款安森美半导体的 40 V N沟道PowerTrench MOSFET 专为提高整体效率而设计，可最大限度地减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC / DC转换器的开关节点振铃。它针对低栅极电荷，低R DS（ON），快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。

N-Channel PowerTrench®
图片	数据手册	产品型号	产品分类	产品描述	价格	操作
		FDMS8333L	MOSFETs-晶体管	MOSFET N CH 40V 22A POWER 56	￥20.50950	在线订购

应用案例

资讯飞兆半导体开发出PowerTrench MOSFET器件FDMS86500L2011-05-18
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出N沟道PowerTrench MOSFET器件FDMS86500L，该器件经专门设计以最大限度地减小传导损耗和开关节点振铃，并提升DC-DC转换器的整体效率
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资讯飞兆半导体开发出功率级非对称双MOSFET模块FDMS36xxS2011-06-15
为了帮助设计人员应对这些挑战，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出FDMS36xxS系列功率级非对称双MOSFET模块.
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资讯Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能2016-03-22
全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild （NASDAQ： FCS）在2016年APEC上发布了新一代100V N沟道Power MOSFET旗舰产品——FDMS86181 100V屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET。
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资讯飞兆半导体推出低导通电阻MOSFET2010-12-29
　　飞兆半导体推出了导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是最大RDS(ON)值为0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N沟道器件，它是业界采用5×6mm POWER56封装且RDS(ON)
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资讯美国电池巨头ABAT在东莞火速投产2011-12-12
美国ABAT集团在东莞清溪镇投资8333万美元，设立东莞强强新能源科技有限公司，从签约到开工仅11个月，东莞市副市长成洪波(微博)对这种“东莞效率”给予了很高评价。
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