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    安森美半导体的40 V N沟道PowerTrench MOSFET(FDMS8333L PowerTrench®)

    发布时间:2018-06-14

    这款安森美半导体的 40 V N沟道PowerTrench MOSFET 专为提高整体效率而设计,可最大限度地减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC / DC转换器的开关节点振铃。它针对低栅极电荷,低R DS(ON),快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。


    N-Channel PowerTrench®
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    FDMS8333LMOSFETs-晶体管MOSFET N CH 40V 22A POWER 56¥20.50950在线订购

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