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N 沟道 8 V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix 提供 8 V、n 沟道 TrenchFET® 功率 MOSFET（N-Channel 8 V (D-S) MOSFETs）
发布时间：2018-06-14
Vishay Siliconix 推出 8 V、n 沟道 TrenchFET® 功率 MOSFET。这些器件在 4.5 V 电压时具有低至 20 mΩ 的业内低导通电阻，并采用大小为 1 mm x 1 mm 和 1.6 mm x 1.6 mm 的芯片级 MICRO FOOT® 封装。
对于低导通电阻比空间更重要的应用，Vishay 的 8 V n 沟道 Si8424CDB TrenchFET 功率 MOSFET 提供最大 20 mΩ 的导通电阻。 器件带有 4.5 V 栅极驱动，采用 1.6 mm x 1.6 mm x 0.6 mm CSP MICRO FOOT 封装。
这款 4.5 V 时最大导通电阻为 43 mΩ、尺寸小至 1 mm x 1mm x 0.55 mm Si8466EDB 8 V n 沟道 MOSFET 可用于空间要求高的应用。
Si8466EDB 和 Si8424CDB 是 MICRO FOOT 系列的最新扩展。
N 沟道 8 V (D-S) MOSFET特性
紧凑的 1 mm x 1 mm x 0.55 mm 和 1.6 mm x 1.6 mm x 0.6 mm MICRO FOOT 封装
节省 PCB 空间并提供超薄外形，能够制造更薄、更轻的便携电子产品。
在 4.5 V 栅极驱动端，导通电阻低至 20 mΩ（最大值）
更低传导损失、更低功耗，更长电池充电间隔时间
横跨负载开关的压降更低，可防止不想要的欠压锁定
Si8466EDB 提供 3000 V 典型 ESD 保护
Si8424CDB 和 Si8466EDB 每一个都具有低至 1.2 V 的导通电阻评级
允许器件使用低压栅极驱动器，使手持设备中的总线通用电压更低
节省电平位移电路的空间和成本
符合 RoHS 指令 2011/65/EU
无卤素，符合 JEDEC JS709A 定义
N 沟道 8 V (D-S) MOSFET应用
便携电子设备电源管理应用中的电池或负载开关功能，如：
智能手机
平板电脑
移动计算设备
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SI8466EDB-T2-E1 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT | ￥1.54198 | 在线订购 |
| | SI8424CDB-T1-E1 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 8V MICROFOOT | ￥1.62000 | 在线订购 |
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