L6384E 高电压器件
STMicroelectronics 的高电压半桥驱动器(L6384E High Voltage Device)
发布时间:2018-06-14
STMicroelectronics 的 L6384E 是一款采用 BCD "OFF-LINE" 技术制造的高电压器件。 采用半桥驱动器结构,可驱动 N 沟道功率 MOS 或 IGBT。 高压侧(浮动)部分使该器件能与高达 600 V 电压轨一起工作。逻辑输入兼容 CMOS/TTL,方便连接控制设备。 低压侧和高压侧之间匹配延迟简化了高频率工作。 通过外部电阻器可随时设置空载时间。
L6384E 高电压器件特性
高电压轨高达 600 V
在整个温度范围内具有 ±50 V/ns 的 ±dV/dt 抗扰度
驱动器电流能力:
400 mA 拉出电流
650 mA 灌入电流
1 nF 负载条件下 50/30 ns 上升/下降开关时间
CMOS/TTL 施密特触发器输入,具有滞后和下拉
关闭输入
空载时间设置
欠压锁定
集成自举二极管
箝位 VCC
SO-8/DIP-8 封装
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
| L6384ED013TR | 栅极驱动-电源管理 | SOIC8 SMT 15.6V | ¥9.52560 | 在线订购 | |
| L6384E | 栅极驱动-电源管理 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP | 在线订购 |
应用案例
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