BD830xMUV DC / DC转换器
ROHM Semiconductor的高效升压/降压开关稳压器(BD830xMUV DC/DC Converters)
发布时间:2018-06-14
ROHM的 DC / DC转换器和控制器(BD8301MUV / BD8303MUV / BD8305MUV)针对所有类型的多功能,高性能电池驱动便携式设备进行了优化,具有宽输入电压范围和自动升压/降压操作,可降低功耗。在整个输入范围内保持高输出效率。与常规Sepic系统相比,仅使用一个线圈并且需要更少的部件,从而有助于更小的电源配置。
BD830xMUV DC / DC转换器特性
BD8301MUV功能
内部FET类型
仅使用一个线圈配置交叉转换器
宽输入电压范围:2.5 V至5.5 V.
宽范围的输出电压:2.8 V至5.5 V.
高电流输出:1 A.
高效率
紧凑型VQFN020V4040封装
BD8303MUV功能
外部高电流FET类型
仅使用一个线圈配置交叉转换器
宽输入电压范围:2.7 V至14 V.
兼容高达5 A的高电流FET
紧凑型VQFN016V3030封装
BD830xMUV DC / DC转换器应用
手机
数码相机/摄像机
游戏设备
便携音频播放器
IC录音机
便携式GPS设备
手持打印机
导航系统
数码相框
无绳电话
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
| BD8303MUV-E2 | DC-DC开关控制芯片-电源管理 | IC REG CTRLR BUCK-BOOST VQFNV | ¥9.91440 | 在线订购 | |
| BD8301MUV-E2 | DC-DC电源芯片-电源管理 | IC REG BCK BST ADJ 1A 20VQFN | 在线订购 | ||
BD8305MUV-E2 | DC-DC电源芯片-电源管理 | IC REG BUCK BOOST ADJ 1A 20VQFN | 在线订购 |
应用案例
资讯DAP202UT106 ROHM 高效双二极管中文参数_封装尺寸2024-07-19
ROHM(罗姆)推出的DAP202UT106双二极管,采用SOT-323封装,凭借其高性能指标和紧凑设计,为高速开关应用提供了理想的解决方案。(进口芯片采购上安玛芯城) 核心优势 高可靠性:采用小型模压封装,确保了卓越的机械强度和稳定性。 高速开关:恢复时间仅为4ns,适用于高频开关应用,极大地提升了电路的响应速度。 紧凑设计:SOT-323封装尺寸(2mm x 1.25mm x 0.9mm),有助于节省PCB空间,提高设计的灵活性。 低正向电压:1.2V的低正向电压减少了功耗,提升
资讯DAP202UT106 ROHM 高效双二极管中文参数_封装尺寸2024-07-19
ROHM(罗姆)推出的DAP202UT106双二极管,采用SOT-323封装,凭借其高性能指标和紧凑设计,为高速开关应用提供了理想的解决方案。(进口芯片采购上安玛芯城) 核心优势 高可靠性:采用小型模压封装,确保了卓越的机械强度和稳定性。 高速开关:恢复时间仅为4ns,适用于高频开关应用,极大地提升了电路的响应速度。 紧凑设计:SOT-323封装尺寸(2mm x 1.25mm x 0.9mm),有助于节省PCB空间,提高设计的灵活性。 低正向电压:1.2V的低正向电压减少了功耗,提升
资讯DAP202UT106 ROHM 高效双二极管中文参数_封装尺寸2024-07-19
ROHM(罗姆)推出的DAP202UT106双二极管,采用SOT-323封装,凭借其高性能指标和紧凑设计,为高速开关应用提供了理想的解决方案。(进口芯片采购上安玛芯城) 核心优势 高可靠性:采用小型模压封装,确保了卓越的机械强度和稳定性。 高速开关:恢复时间仅为4ns,适用于高频开关应用,极大地提升了电路的响应速度。 紧凑设计:SOT-323封装尺寸(2mm x 1.25mm x 0.9mm),有助于节省PCB空间,提高设计的灵活性。 低正向电压:1.2V的低正向电压减少了功耗,提升
资讯2024ALE车灯展ROHM产品介绍2024-07-17
近日,ROHM亮相第十九届汽车灯具产业发展技术论坛暨上海国际汽车灯具展览会(简称ALE),展出了包括LED驱动器、高耐压MOSFET在内的多种产品及各类车灯解决方案。
资讯Rohm推出16位微控制器(MCU)2024-07-11
Rohm,一家知名的半导体制造商,近期推出了专为混合模拟-数字控制电源回路设计的16位微控制器(MCU)系列ML62Q20xx。这一系列MCU旨在满足中功率电源市场对更高可靠性和精确控制的需求,而这些需求往往难以通过传统的纯模拟配置实现。
资讯索尼、三菱等8家日企砸5兆日元投资半导体2024-07-09
在科技与可持续发展的双重浪潮下,日本八大知名企业——索尼、三菱电机、罗姆、东芝、铠侠、瑞萨、Rapidus、富士电机,正携手踏上半导体产业的壮阔征途。据最新消息,这八家巨头计划在2029年前共同投资高达5兆日元(约合数百亿美元),以扩大在功率半导体、影像传感器、逻辑半导体等关键领域的产能,旨在抓住人工智能(AI)与减碳市场蓬勃发展的历史机遇。
资讯罗姆子公司SiCrystal在德国扩产,SiC产能将扩大三倍2024-07-08
在全球半导体产业持续升温,尤其是新能源汽车、光伏及风电等绿色能源领域对高性能功率半导体需求激增的背景下,罗姆集团旗下的子公司SiCrystal GmbH宣布了一项重大的产能扩张计划,标志着碳化硅(SiC)芯片生产迈入了一个全新的发展阶段。
资讯实现电流和控制信号分离,罗姆新型SiC封装模块助力实现更小型的xEV逆变器2024-06-26
电子发烧友网报道(文/吴子鹏)凭借高频、高压、高效、高耐温和低损耗的产品特性,目前第三代半导体SiC(碳化硅)器件已经成为各行业打造电气化方案的首选,进而可以实现更高的功率密度、可靠性和效率。根据市场调研机构Yole的统计数据,2023年全球SiC功率器件市场规模达19.72亿美元,近五年年均复合增长率达35.79%;在新能源汽车及光伏领域需求的带动下,全球SiC功率器件市场规模预计将会在2024年达到26.23亿美元。 为了更好地推动SiC产品研发落地